基于半解析法的全耗尽SOI MOSFET亚阈值表面势分析的开题报告.docx

基于半解析法的全耗尽SOIMOSFET亚阈值表面势分析的开题报告
一、选题背景
随着科技进步和社会发展，集成电路技术已经成为高新技术发展的基础。而其中的SOI（Silicon-on-Insulator）技术则是一种非常有前景的技术，在新一代半导体工艺中被广泛应用。SOI技术具有低电压操作、低功耗、更高的开关速度、较高的集成度等优点，因此受到了广泛的关注。
在SOI技术中，SOIMOSFET是一种非常重要的器件。SOIMOSFET传统上被用来取代SiMOSFET，以改进电路性能。然而，SOIMOSFET在亚阈值区工作时，其表现和SiMISFET相比却存在明显的差异。测试和研究表明，SOIMOSFET在亚阈值区工作时，其开关速度、技术参数和性能等都会发生明显的变化。因此，对SOIMOSFET在亚阈值区的表面势进行分析，明确其内在原理，对于SOIMOSFET的设计和制造具有重要的意义和价值。
二、研究内容
本次研究以全耗尽SOIMOSFET为研究对象，以半解析法为主要分析手段，研究SOIMOSFET在亚阈值区的表面势特性。具体研究内容如下：
1.了解SOIMOSFET的基本性质和结构。
2.了解全耗尽SOIMOSFET的结构和性质。
3.研究半解析法在分析SOIMOSFET表面势特性中的应用。
4.基于半解析法，分析全耗尽SOIMOSFET在亚阈值区的表面势特性。
5.总结分析结果，对研究结果进行评估和探讨。
三、研究意义
本研究对于SOIMOSFET在亚阈值区的性能研究具有积极的意义和价值：
1.为SOIMOSFET的设计和制造提供了重要的理论依据和参考；
2.加深对半解析法的理解和应用；
3.促进了亚阈值电路的发展和应用。
四、研究方法
本研究使用了半解析法进行分析。半解析法是一种数值计算方法，既保留了解析方法的优点，又利用了数值方法的特点，在解决大规模数字电路仿真和亚阈值MOSFET表面势分析等方面得到了广泛的应用。
五、研究进度
目前，已完成对全耗尽SOIMOSFET基本性质和结构的了解。正在进行对半解析法在分析SOIMOSFET表面势特性中的应用的研究。进度较为顺利。
六、结论
本次研究将从SOIMOSFET的基本结构特性出发，研究其在亚阈值区表面势的特性和规律。半解析法将被应用于该项研究中，旨在增进对亚阈值电路的认识和理解，并为其的设计和研究提供一定的理论基础。