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基于PIN的IMOS与TFET器件研究的任务书
任务书
题目：基于PIN的IMOS与TFET器件研究
目的：
1.了解PIN-IMOS和TFET器件的基本原理和性能特点；
2.掌握PIN-IMOS和TFET器件的制备方法和优缺点；
3.研究两种器件在不同场合下的应用。
内容：
1.PIN-IMOS器件的研究
（1）原理及性能特点：介绍PIN-IMOS器件的工作原理和器件的特性，重点讲解其性能参数。详细说明主体结构，如电子掺杂层、隔离层等的组成结构和作用以及引出电极等。
（2）制备方法：介绍制备PIN-IMOS器件的方法，包括工艺步骤、制备条件和所需设备。并探讨各种制备方法的优缺点和适用范围。
（3）应用研究：探究PIN-IMOS的应用领域，分析其在功率放大器、开关、线性放大器、计时电路等方面的应用。对于PIN-IMOS在以上领域中的特性、优缺点以及优化方法进行详尽讨论。
2.TFET器件的研究
（1）原理及性能特点：介绍TFET器件的工作原理和器件的特性，重点讲解其性能参数。详细说明主体结构，如源极、栅极、漏极等的组成结构和作用以及引出电极等。
（2）制备方法：介绍制备TFET器件的方法，包括工艺步骤、制备条件和所需设备。并探讨各种制备方法的优缺点和适用范围。
（3）应用研究：探究TFET的应用领域，分析其在低电压、低功耗电路、能源收集、荧光传感等方面的应用。对于TFET在以上领域中的特性、优缺点以及优化方法进行详尽讨论。
3.两种器件的比较分析
对于PIN-IMOS和TFET两种器件进行对比分析，判断它们在不同应用领域的优点和缺点。通过对比，得出各自的应用范围及发展趋势。
参考文献：
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5.JongmyeongShin,etal.Dual-channelbilayerMoS2p-i-ntunnelFETwithahighon/offratio.AppliedPhysicsLetters,2018,113(5):053101.