模电常用的半导体器件资料PPT学习教案.pptx

会计学1.1半导体基础知识图1.1半导体二极管导电性能的实验(shíyàn)1．半导体的特性
自然界中的各种物质,按导电能力划分为:导体、绝缘体、半导体。半导体导电能力介于导体和绝缘体之间。它具有(jùyǒu)热敏性、光敏性和掺杂性。利用光敏性可制成光电二极管和光电三极管及光敏电阻;利用热敏性可制成各种热敏电阻;利用掺杂性可制成各种不同性能、不同用途的半导体器件,例如二极管、三极管、场效应管等。2．半导体的共价键结构
在电子器件中,用得最多的材料是硅和锗,硅和锗都是四价元素,最外层(wàicénɡ)原子轨道上具有4个电子,称为价电子。每个原子的4个价电子不仅受自身原子核的束缚,而且还与周围相邻的4个原子发生联系,这些价电子一方面围绕自身的原子核运动,另一方面也时常出现在相邻原子所属的轨道上。这样,相邻的原子就被共有的价电子联系在一起,称为共价键结构。如图1.2所示。
图1.2硅和锗的共价键结构(jiégòu)当温度升高或受光照时,由于半导体共价键中的价电子并不像绝缘体中束缚得那样紧,价电子从外界获得一定的能量,少数价电子会挣脱共价键的束缚,成为自由电子,同时(tóngshí)在原来共价键的相应位置上留下一个空位,这个空位称为空穴,如图1.3所示。图1.3本征激发(jīfā)产生电子空穴对示意图自由电子和空穴是成对出现的,所以称它们(tāmen)为电子空穴对。在本征半导体中,电子与空穴的数量总是相等的。我们把在热或光的作用下,本征半导体中产生电子空穴对的现象,称为本征激发,又称为热激发。
由于共价键中出现了空位,在外电场或其他能源的作用下,邻近的价电子就可填补到这个空穴上,而在这个价电子原来的位置上又留下新的空位,以后其他价电子又可转移到这个新的空位上,如图1.4所示。为了区别于自由电子的运动,我们把这种价电子的填补运动称为空穴运动,认为空穴是一种带正电荷的载流子,它所带电荷和电子相等,符号相反(xiāngfǎn)。由此可见,本征半导体中存在两种载流子:电子和空穴。而金属导体中只有一种载流子——电子。本征半导体在外电场作用下,两种载流子的运动方向相反(xiāngfǎn)而形成的电流方向相同,如图1.5所示。图1.4电子(diànzǐ)与空穴的移动图1.5两种载流子在电场(diànchǎng)中的运动3．杂质半导体
1)N型半导体
在纯净的半导体硅（或锗）中掺入微量五价元素（如磷）后,就可成为N型半导体,如图1.6(a)所示。在这种半导体中,自由电子数远大于空穴数,导电以电子为主,故此类半导体亦称电子型半导体。
2)P型半导体
在硅（或锗）的晶体内掺入少量三价元素杂质,如硼（或铟）等。硼原子只有3个价电子,它与周围(zhōuwéi)硅原子组成共价键时,因缺少一个电子,在晶体中便产生一个
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空穴(kōnɡxué)。这个空穴(kōnɡxué)与本征激发产生的空穴(kōnɡxué)都是载流子,具有导电性能。P型半导体共价键结构如图1.6(b)所示。图1.6掺杂(chānzá)质后的半导体
(a)N型半导体；(b)P型半导体在P型半导体中,空穴数远远大于自由电子数,空穴为多数载流子(简称“多子”),自由电子为少数载流子(简称“少子”)。导电(dǎodiàn)以空穴为主,故此类半导体又称为空穴型半导体。结及其单向导电特性
1.PN结的形成
在一块完整的晶片上,通过一定的掺杂工艺,一边形成P型半导体,另一边形成N型半导体。
在交界面两侧形成一个带异性电荷的离子层,称为空间电荷区,并产生内电场,其方向是从N区指向P区,内电场的建立阻碍了多数载流子的扩散运动,随着内电场的加强,多子的扩散运动逐步减弱,直至停止,使交界面形成一个稳定的特殊的薄层,即PN结。因为在空间电荷区内(qūnèi)多数载流子已扩散到对方并复合掉了,或者说消耗尽了,因此空间电荷区又称为耗尽层。2.PN结的单向导电特性
在PN结两端外加电压,称为给PN结以偏置电压。
1)PN结正向偏置
给PN结加正向偏置电压,即P区接电源正极,N区接电源负极,此时称PN结为正向偏置(简称正偏),如图1.7所示。由于外加电源产生的外电场的方向与PN结产生的内电场方向相反,削弱了内电场,使PN结变薄,有利于两区多数(duōshù)载流子向对方扩散,形成正向电流,此时PN结处于正向导通状态。
图1.7PN结加正向(zhènɡxiànɡ)电压2)PN结反向偏置
给PN结加反向偏置电压(diànyā),即N区接电源正极,P区接电源负极,称PN结反向偏置(简称反偏),如图1.8所示。图1.8PN结加反向(fǎnxiànɡ)电压由于外加电场与内电场的方向一致,因而加强了内电场,使PN结加宽,阻碍了多子的扩散运动。在外电场的作用下,只有少数载流子形成的很微弱的电流,称为