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第1章常用半导体器件

一、选择题(6小题,共10.0分)

(02分)1.从括号中选择正确答案，用A、B、C、填空。

在纯净半导体中掺入三价硼元素后，形成____（A．P型B．N型）半导体；其

导电率（C．增大，D．减小，E．不变）；这种半导体的多数载流子是____，少数载流

子是____（F．空穴，G．自由电子）。

(01分)2.选择正确的答案用A、B、C填空。

随着温度升高，晶体管的电流放大系数____，穿透电流____，在IB不变的情

况下b-e结电压UBE____。（A．增大，B．减小，C．不变）

(02分)3.选择正确的答案用A、B、C填空。

随着温度升高，晶体管的共射正向输入特性曲线将_______________，输出特性曲线

将_______________，输出特性曲线的间隔将_______________。

（A．上移，B．下移，C．左移，D．右移，E．增大，F．减小，G．不

变）

(01分)4.用“大”、“小”填空：

场效应管栅极的静态输入电流比双极型晶体管基极的静态输入电流_____；绝缘栅型

场效应管栅极的静态输入电流比结型场效应管的____。

二、是非题(3小题,共6.0分)

(02分)1.判断以下说法的正误，用√表示正确，用×表示错误。

1．晶体三极管具有两个PN结，因此把两个二极管反向串联起来，也能具有放大能力。

（）

2．测出某晶体管的共基电流放大系数小于1，表明该管子没有放大能力。（）

3．由于晶体管的发射区和集电区的掺杂浓度不同，所以发射极和集电极互换后电流

放大能力大大减小。（）

(02分)2.判断以下说法的正误，在相应括号内画√表示正确，画×表示错误。

1．场效应管的优点是有很高的输入电阻和很低的输出电阻。（）

2．绝缘栅场效应管的栅极静态输入电流比结型场效应管的小。（）

3．耗尽型绝缘栅场效应管的栅极静态电流比增强型绝缘栅场效应管的小。（）

(02分)3.判断下列说法的正、误，在相应的括号内画√表示正确，画×表示错误。

用双极型晶体管组成的共射放大电路与用场效应管组成的共源放大电路相比，前者的

输入电阻比后者大（）；前者的噪声系数比后者小（）；前者静态工作点的温度漂移

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第1章常用半导体器件

比后者大（）。

三、填空题(3小题,共4.0分)

(01分)1.结型场效应管的栅源之间通常加________________偏置电压，因此栅极电流

很小；绝缘栅型场效应管的栅源之间有一层________________，因此栅极静态电流几乎等

于零。

(02分)2.填空：

双极型晶体管的发射极电流放大系数反映了________________极电流对

________________极电流的控制能力；而单极型场效应管常用________________参数反映

________________对________________的控制能力。

(01分)3.填空：

场效应管的________________极电流远小于双极型管的基极电流，因此共源放大的电

路的输入电阻远________________于共射放大电路的输入电阻。

四、解答题(7小题,共49.0分)

(06分)1.试确定图（a）和图（b）中的二极管是否导通，并计算电压U1和U2的值（设二
极管正向导通电压为0.7V）

(06分)2.试确定图（a）和图（b）中的二极管是否导通，并计算电压U1和U2的值（设

二极管正向导通电压为0.7V）。

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第1章常用半导体器件

(06分)3.电路中VD均可视为理想二极管，试判断它们是否导通，并求出UO的值。

(06分)4.电路中VD均可视为理想二极管，试判断它们是否导通，并求出UO的值。

(10分)5.设图中VD为普通硅二极管，正向压降为0.7V，试判断VD是否导通，并计

算UO的值。

(10分)6.设图中VD为普通硅二极管，正向压降为0.7V，试判断VD是否导通，并计

算UO的值。

(05分)7.已知电路中稳压管VDZ1和VDZ2的稳定电压分别为5V和9V，求电压UO

的值。

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第1章常用半导体器件

五、填空题

(08分)1.在图示稳压电路中，稳压管的稳定电压U＝5V，最小稳定电流I＝5mA，最大
ZZmin

稳定电流I＝30mA，正向导通电压U＝；U＝。
Zmax0.7V16V
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