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微电子器件测验学习教案.pptx
2024-10-14
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会计学/测验(cèyàn)二答案(dáàn)一、1、1、某NPN晶体管的，试求该管的浮空电势。2、试求该管当发射极开路集电结反偏时，基区中邻近(línjìn)发射区一侧的少子浓度nB(0)是该处平衡少子浓度nB0的多少倍。答案(dáàn)求下图共发射极T形等效电路中与并联支路的分界频率，通常可以忽略哪个(nǎge)元件？答案(dáàn)测验(cèyàn)五答案(dáàn)
2024-10-14
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某硅突变PN结的NA=1.5×1014cm-3，ND=1.5×1018cm-3，试求室温下：1、平衡时的pp0、nn0、pn0和np0；2、外加0.2V正向电压时的pn(xn)和np(-xp)；3、内建电势Vbi。测验二答案一、1、1、某NPN晶体管的，试求该管的浮空电势。2、试求该管当发射极开路集电结反偏时，基区中邻近发射区一侧的少子浓度nB(0)是该处平衡少子浓度nB0的多少倍。答案求下图共发射极T形等效电路中与并联支路的分界频率，通常可以忽略哪个元件？答案测验五答案
2024-09-17
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本课程的授课对象是“电子科学与技术（微电子技术方向）”专业和“集成电路设计与集成系统”专业的本科生，属于专业方向选修课。本课程的目的是使学生掌握半导体器件基本方程、PN结二极管、双极结型晶体管与场效应晶体管的基本理论与主要特点。这些内容都是本领域高级专业技术人员所必须掌握的，同时也是后续课程“微电子集成电路”的学习基础。本课程总学时为72学时，其中课堂讲课60学时，实验12学时。第1章半导体器件基本方程授课时数：3学时一、教学内容及要求1-1半导体器件基本方程的形式1-1-1泊松方程1-1-2输运方程1-
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