微电子器件与工艺课程设计学习教案.pptx

会计学具体(jùtǐ)要求：4、总体制造(zhìzào)方案：清洗→氧化→光刻（光刻基区）→硼预扩散→硼再扩散（基区扩散）→去氧化膜→氧化工艺→光刻（光刻发射区）→磷预扩散→磷再扩散（发射区扩散）→去氧化膜→沉积保护层→光刻（光刻接触孔）→金属化→光刻（光刻接触电极）→参数检测设计(shèjì)要求设计(shèjì)要求晶体管设计过程(guòchéng)，实际上就是根据现有的工艺水平，材料水平，设计水平和手段以及所掌握的晶体管的有关基本理论，将用户提出的或预期要得到的技术指标或功能要求，变成一个可实施的具体方案的过程(guòchéng)。/1.材料结构(jiégòu)常数设计///////由击穿电压VCBO确定NC，也可根据公式(gōngshì)计算，/考虑穿通(chuāntōnɡ)电压：教材297页
三极管的击穿电压是雪崩击穿电压和穿通(chuāntōnɡ)电压中较小的一个/2.晶体管的纵向设计采用硅平面工艺制备(zhìbèi)PN结的主要工艺过程(g)完成(wánchéng)光刻后去胶的晶片////三、晶体管的横向(hénɡxiànɡ)设计4。工艺步骤(bùzhòu)设计//硅片清洗→氧化→光刻基区
→磷预扩散→磷再扩散（基区扩散）
→去氧化膜→氧化工艺(gōngyì)→光刻发射区
→硼预扩散→硼再扩散（发射区扩散）
→去氧化膜→沉积保护层→光刻接触孔
→金属化→光刻接触电极→参数检测1、硅片清洗(qīngxǐ)3、光刻基区6、去氧化(yǎnghuà)层8、光刻发射区11、去氧化(yǎnghuà)层14、金属(jīnshǔ)化(反刻金属(jīnshǔ)）/感谢您的观看(guānkàn)！