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电针预处理对脑缺血再灌注小鼠海马区mTOR信号通路的影响的开题报告
一、研究背景
缺血性脑卒中在西方国家是造成死亡和致残的主要原因之一，而脑缺血再灌注损伤是在脑卒中急性期及其治疗中常见的并发症。海马区是脑缺血再灌注损伤中最敏感的区域之一，其病理改变包括神经元坏死、神经元凋亡、神经元胞体肿胀等。与此同时，细胞能量代谢失调和氧化应激也是脑缺血再灌注损伤的重要特征。研究表明，mTOR信号通路在脑缺血再灌注损伤中发挥重要的作用，调控细胞代谢和存活。因此，研究针灸预处理对脑缺血再灌注小鼠海马区mTOR信号通路的影响，有助于深入了解脑缺血再灌注损伤的病理生理机制和中医针灸预防脑缺血再灌注损伤的作用机制。
二、研究目的
本研究旨在探讨电针预处理对脑缺血再灌注小鼠海马区mTOR信号通路的影响，以深入了解电针预处理对脑缺血再灌注损伤的预防作用机制，为临床应用中医针灸防治脑缺血再灌注损伤提供实验基础和理论依据。
三、研究内容
1.小鼠脑缺血再灌注模型的建立：采用经修改的Pulsinelli4氧4氮（4-VO）法，在小鼠大脑中动脉前突注射硝酸乙酯制备小鼠脑缺血再灌注模型。
2.电针预处理对小鼠海马区mTOR信号通路的影响：将小鼠随机分成4组，分别为正常对照组、模型组、电针组、伏脉点组。电针组和伏脉点组分别在缺血再灌注前进行电针预处理，持续30分钟。过去研究中发现，伏脉点可以调节人体生理和代谢功能，因此伏脉点是电针预处理的适宜穴位。预处理结束后，采用免疫荧光染色法检测小鼠海马区mTOR、p-mTOR和p70S6K的表达水平。
3.计算分析：用Image-ProPlus软件计算和分析小鼠海马区mTOR、p-mTOR和p70S6K的表达水平和统计结果。
四、研究意义
本研究通过建立小鼠脑缺血再灌注模型，比较研究电针预处理对脑缺血再灌注小鼠海马区mTOR信号通路的影响，有望发现电针预处理在防治脑缺血再灌注损伤中的作用机制，并为临床中医针灸防治脑缺血再灌注损伤提供新的思路和方法。同时，本研究也对进一步深入理解mTOR信号通路在脑缺血再灌注损伤中的作用具有一定的理论和实验意义。