等效应力及等效应变.pptx
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第9讲 等效应力及等效应变.ppt
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第10讲-等效应力应变及真实应力应变关系曲线.pptx
材料成形原理CPrincipleofMaterialFormingC本节主要内容10.1.1等效应力10.1.2等效应变10.1.3等效应变与等效应力的关系10.2曲线——变形抗力曲线真实应力-应变曲线真实应力-应变曲线的确定真实应力-应变曲线的简化变形温度对真实应力-应变曲线的影响变形速度对真实应力-应变曲线的影响10.3平面变形和轴对称变形10.3.1平面应力10.3.2平面变形10.3.3轴对称变形内容总结
等效应力原理.ppt
3.2土、冰混合本构关系的细观分析3.2.4Mori-Tanaka方法3.2.6几种弹性模量的比较3.3与实际冻土的比较3.4饱和冻土的本构关系3.5温度对饱和冻土本构关系的影响3.6数值模拟2.适用领域:FEPG系统可以提供静力分析、热传导分析、电磁场分析、流场分析、结构力学分析、渗流场分析、围岩稳定性分析、高边坡稳定性分析、蜗壳结构受力分析、岔管结构分析、水力学计算等。3.6.2数值模拟实例其中:初始条件和边界条件为:2.参数的确定3.数值计算结果下边界温度线性拟合左边界温度原始实测数据:右边界温度初
用于制备应变沟道CMOS的等效应变记忆方法.pdf
本发明制备应变沟道CMOS的等效应变记忆方法是涉及集成电路的制作,特别是通过等效应变记忆方法引入的应变技术,分别为互补金属氧化物半导体场效应晶体管CMOS中的NFET与PFET器件提供张应变与压应变。该发明提供的记忆方法是通过表面剪切应力在衬底表面引入应变,此应变的大小会随纵向深度不同而变化,但不随表面内横向尺寸的改变而变化,并通过侧壁正应力而保留沿沟道方向的等效应变。用本方法制作出来的晶体管在特征尺寸为几微米情况下,沟道仍具有较大应变,并能提高器件与电路的频率特性。