AlGaNGaN HEMT器件的工艺制备及接触特性研究的任务书.docx

AlGaNGaNHEMT器件的工艺制备及接触特性研究的任务书
任务书
一、任务目的
本次研究的目的是了解AlGaNGaNHEMT器件的工艺制备和接触特性，通过调节制备过程中的相关参数，来改善器件的性能和提高其稳定性，为相关领域的工程应用提供理论和技术支持。
二、研究内容
1.综述AlGaNGaNHEMT器件的工艺制备和接触特性的研究现状和进展。
2.设计AlGaNGaNHEMT器件的工艺制备方案，包括设计制备工艺流程和确定工艺参数。
3.实验制备AlGaNGaNHEMT器件，并对其材料和结构进行表征。比较不同工艺参数下的器件性能差异。
4.研究AlGaNGaNHEMT器件的接触特性。通过测试器件的接触电阻、接触电势和界面结合强度等指标，掌握器件接触特性的变化规律和相关影响因素。
5.综合分析实验数据和已有文献，总结研究结果，探讨器件性能提升的途径和未来发展方向。
三、具体要求
1.综述部分需要引用至少30篇文献，其中不少于10篇为近三年发表的高水平SCI论文。
2.设计制备方案需要考虑不同制备参数对器件性能的影响，如Ga含量、沉积温度和厚度等。
3.实验需要较为仔细地记录制备过程中的相关参数和条件，保证实验重现性。
4.实验数据需要进行统计分析，包括平均值、标准差、方差等。
5.结果分析需要深入挖掘数据背后的物理本质，探讨提升器件性能的途径和未来发展方向。
四、进度安排
任务起止时间：2021年6月1日-2022年5月31日。
1.第一阶段（2021年6月1日-2021年8月31日）
完成AlGaNGaNHEMT器件的工艺制备方案的设计和制备过程的调优。
2.第二阶段（2021年9月1日-2021年12月31日）
对制备的器件进行材料和结构表征，分析器件的性能差异。
3.第三阶段（2022年1月1日-2022年4月30日）
研究器件的接触特性，掌握接触特性的变化规律和相关影响因素。
4.第四阶段（2022年5月1日-2022年5月31日）
总结研究结果，撰写论文并提交至相关期刊。
五、预期成果
1.研究论文1篇；
2.能够熟练掌握AlGaNGaNHEMT器件的制备技术和相关表征方法；
3.能够独立进行相关材料和器件的研究工作。