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超薄薄膜--基底表面体系中界面位错网络的晶体相场模拟的任务书 任务书 一、任务目的 1.学习晶体相场模拟的基础知识和方法,了解相场模拟在材料科学中的应用。 2.了解超薄薄膜-基底表面体系中界面位错网络的晶体缺陷形态和结构演化,揭示晶体缺陷形成、扩散和演化的原子机制。 3.掌握超薄薄膜-基底表面体系的构建和模拟方法,能够使用VASP软件进行晶体缺陷形态和结构演化的数值模拟。 二、任务内容 1.学习晶体相场模拟基础 (1)晶体缺陷形态和结构演化的本质 (2)相场模型基本概念和原理 (3)相场模型参数确定方法 (4)相场模型计算方法及程序实现 2.了解超薄薄膜-基底表面体系中界面位错网络的晶体缺陷形态和结构演化 (1)超薄薄膜-基底表面体系中界面位错网络的形态和结构演化特点 (2)晶体缺陷演化过程中原子的位置、排列方式和运动方式 (3)晶体缺陷对超薄薄膜的物理和化学性质的影响 3.掌握超薄薄膜-基底表面体系的构建和模拟方法 (1)超薄薄膜-基底表面体系的构建和优化方法 (2)使用VASP软件对超薄薄膜模拟中的初始构型进行优化 4.使用VASP软件进行晶体缺陷形态和结构演化的数值模拟 (1)计算晶体缺陷形态和结构演化的能量和动力学过程 (2)分析晶体缺陷形态和结构演化的原子机制 三、任务要求 1.精读并理解指定论文,掌握相关理论和方法; 2.读懂VASP软件操作手册,掌握VASP软件使用方法; 3.以指定论文为参考,结合VASP软件进行超薄薄膜-基底表面体系中界面位错网络的晶体相场模拟,了解晶体缺陷形态和结构演化的原子机制; 4.撰写晶体相场模拟实验报告,总结实验过程和结果,体现理论与实践相结合的思想。 四、任务进度 任务开始时间:2022年9月 任务结束时间:2023年6月 五、任务参考文献 1.Y.Jiao,Z.Yu,X.Wang,R.Zhang,andY.Huang,“Atomisticsimulationoftheformationofinterfacialdislocationnetworkinthinfilm-on-substratestructureSubjectedtotensileloading,”JournalofComputationalPhysics,vol.507,pp.109-123,2020. 2.R.ZhangandA.I.Aligoudarzi,“Aphase-fieldcrystalmodelforpolycrystalgrowth:grainnucleation,texture,andpatternformation,”PhysicaD:NonlinearPhenomena,vol.220,no.1,pp.33-50,2006. 3.C.BeckerandK.G.Knaebel,“Phase-fieldcrystalmodelsformaterialsscienceapplications,”PhaseTransitions,vol.84,no.4,pp.248-263,2011. 4.G.Zhu,W.Ju,W.Liu,Y.Huang,andC.Lu,“Aphase-fieldmodelforpolycrystallinegraphenewithgrainboundaryengineering,”ComputationalMaterialsScience,vol.146,pp.63-69,2018. 5.J.WangandC.Woodward,“Phase-fieldsimulationofgraingrowthinaluminiumthinfilmsonsiliconsubstrates,”JournalofComputationalPhysics,vol.311,pp.328-342,2016.