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会计学电焊机简介(jiǎnjiè) 逆变焊机中IGBT应用特点 IGBT的主要参数选择 RT4模块介绍及优势电焊机简介(jiǎnjiè)-分类电焊机简介(jiǎnjiè)-发展历程电焊机简介(jiǎnjiè)-IGBT逆变焊机种类、型号和输出特性IGBT应用(yìngyòng)特点IGBT的应用特点-焊机拓扑(tuòpū)结构IGBT的应用特点(tèdiǎn)-逆变拓扑结构IGBT的应用(yìngyòng)特点-硬开关、软开关IGBT的应用(yìngyòng)特点-半桥型电路拓扑特点: IGBT开关时电压、电流不为零,开关损耗(sǔnhào)大。 建议: 选用关断损耗(sǔnhào)小的IGBT。 推荐:采用INFINEON开关损耗(sǔnhào)小S4芯片封装的的IGBT模块。电路特点: IGBT导通时间长,损耗主要为通态损耗 建议: 选择通态损耗小的IGBT。 推荐:采用(cǎiyòng)INFINEON导通损耗小的DN2、T4芯片封装的IGBT模块。电路特点(tèdiǎn): 超前臂实现ZVS,IGBT开关损耗小,导通损耗占总损耗比重大。 滞后臂实现ZCS,IGBT导通时间长,通态损耗大。 建议:选择IGBT通态损耗小的IGBT,即低通态型IGBT模块。 推荐:采用INFINEON导通损耗小的DN2、T4芯片封装的IGBT模块。IGBT主要参数选择(xuǎnzé)主要参数选择(xuǎnzé)-电焊机主要参数主要参数选择(xuǎnzé)-推荐表RT4芯片(xīnpiàn)介绍及优势IGBT4模块(mókuài):Tvjop,max=150C!50A的RT4和DN2模块的性能比较(如无特殊说明Tj=125℃)75A的RT4和DN2模块的性能比较(如无特殊说明Tj=125℃)100A的RT4和DN2模块的性能比较(如无特殊说明Tj=125℃)150A的RT4和DN2模块的性能比较(如无特殊说明Tj=125℃)150A的RT4和100A的KS4的模块的性能比较(如无特殊说明Tj=125℃)总的来说,RT4系列产品的饱和压降有大幅的降低,开关损耗也有所降低,特别适合软开关拓扑结构的焊机。但是(dànshì)RT4系列产品的热阻相当于DN2系列来说都要大一些。还有就是RT4系列的推荐驱动电阻值都比较小,替换时要注意对驱动电路进行修改。RT4模块(mókuài)-与SEMIKRON模块(mókuài)的比较RT4模块(mókuài)-与SEMIKRON的比较75的RT4和西门康的模块的性能比较(如无特殊说明Tj=125℃)RT4模块(mókuài)-与SEMIKRON模块(mókuài)的比较RT4模块(mókuài)-与SEMIKRON模块(mókuài)的比较RT4模块(mókuài)-与斯达模块(mókuài)的比较50A的RT4和斯达模块的性能比较(如无特殊说明Tj=125℃)RT4模块(mókuài)-与斯达模块(mókuài)的比较RT4模块(mókuài)-与斯达模块(mókuài)的比较RT4模块(mókuài)-与斯达模块(mókuài)的比较RT4模块(mókuài)-与斯达模块(mókuài)的比较热循环(xúnhuán)周次:在每次传热时,DCB和铜基板也会产生热胀冷缩,因为膨胀率不同,长时间后,就会使DCB与铜基板接触不良,使IGBT失效。 功率循环(xúnhuán)周次:绑定线,通过电流发热后,会热胀冷缩发生变形。在一定次数后就会出现裂纹,导致IGBT失效。RT4模块(mókuài)-与宏微模块(mókuài)的比较RT4模块(mókuài)-与宏微模块(mókuài)的比较RT4模块(mókuài)-与宏微模块(mókuài)的比较RT4模块(mókuài)-与宏微模块(mókuài)的比较RT4模块(mókuài)-与宏微模块(mókuài)的比较RT4模块(mókuài)-与宏微模块(mókuài)的比较/