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替代原子对低维硅碳材料电子输运性质的影响的任务书 任务书 题目:替代原子对低维硅碳材料电子输运性质的影响 摘要:低维材料在电子学、能源和生物医学等领域具有广泛的应用前景。其中,硅碳材料具有优异的催化性能和机械性能,特别是其在纳米化学和光电器件领域的应用受到广泛关注。本文将探讨替代原子对低维硅碳材料电子输运性质的影响,以期为材料设计和应用提供重要的指导。 研究目的:1)了解低维硅碳材料电子输运性质的基本原理;2)探讨替代原子对硅碳材料的结构和电子性质的影响;3)分析替代原子对硅碳材料电子输运性质的影响机制;4)探究替代原子对硅碳材料电子输运性质影响程度的因素;5)为低维硅碳材料的设计和应用提供指导。 研究内容: 1.低维硅碳材料电子输运性质的基本原理 a.低维材料电子输运的基本原理 b.硅碳材料的基本结构和性质 c.低维硅碳材料的电子输运性质 2.替代原子对硅碳材料的结构和电子性质的影响 a.不同替代原子的影响及其机制 b.替代原子对硅碳材料晶体结构的影响 c.替代原子对硅碳材料电子态密度的影响 3.替代原子对硅碳材料电子输运性质的影响机制 a.电子输运的基本原理 b.替代原子对电子输运的影响机制 c.外界因素对替代原子影响的调控 4.替代原子对硅碳材料电子输运性质影响程度的因素 a.材料结构 b.替代原子的性质 c.外界条件 5.低维硅碳材料的设计与应用 a.在哪些领域可以应用低维硅碳材料 b.如何设计合理的低维硅碳材料 c.低维硅碳材料的未来发展方向 参考文献: [1]Yang,Z.H.,Zhang,G.,&Wei,X.L.(2019).Reviewontheproperties,preparationandapplicationsofsilicon-carbonnanomaterials.JournalofNanomaterials,2019. [2]Gao,H.J.,Li,Y.,&Guo,Z.X.(2016).Densityfunctionalcalculationsoftheelectronicandtransportpropertiesofgraphenenanostructureswithsingle-bondedheteroatomdopants.PhysicalReviewB,93(23),235432. [3]Tian,W.X.,Wei,J.N.,Li,Y.D.,&Li,Y.(2018).Effectofsubstitutionalboronandnitrogenontheelectronicpropertiesandfieldemissionperformanceofarmchairgraphenenanoribbons.AppliedSurfaceScience,449,1162-1168. [4]Chen,Y.C.,Kang,J.W.,Lin,Y.M.,&Avouris,P.(2010).Performanceenhancementofgraphenetransistorbyinsertingananometer-scaleSiO2layerbetweengrapheneandsubstrate.AppliedPhysicsLetters,96(12),123114. [5]Li,X.L.,Li,T.B.,Li,Q.H.,&Hao,Q.L.(2019).EffectofSidopingongeometricandelectronicpropertiesofboronnitridenanosheets:afirst-principlesstudy.JournalofPhysics:CondensedMatter,31(46),465701. 预期成果: 1.掌握低维硅碳材料的基本电子输运性质 2.深入了解替代原子对硅碳材料的结构和电子性质的影响 3.理解替代原子对硅碳材料电子输运性质影响的机制和影响程度 4.为低维硅碳材料的设计和应用提供指导 5.撰写符合学术要求的论文