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低维碳硅纳米材料的电子输运性质的中期报告
本文报告了关于低维碳硅纳米材料的电子输运性质的中期研究进展。在本研究中，我们主要关注了两种类型的低维碳硅纳米材料：碳纳米管和硅纳米线。
对于碳纳米管，我们使用密度泛函理论（DFT）进行计算，研究了不同直径和手性的碳纳米管的输运性质。我们发现，碳纳米管的导电性能受其手性和直径的影响较大。具体而言，手性对于管子的输运性质具有非常重要的影响，而管子的直径与导电性能有着显著的正相关关系。此外，我们还研究了声子对碳纳米管在输运中的影响，发现管子的热电导率会受到声子散射的影响。
对于硅纳米线，我们考虑了银、镍和铜三种不同的掺杂情况，使用DFT和非平衡格林函数方法进行计算。我们发现，掺杂可显著影响硅纳米线的电子输运性质。具体而言，金属掺杂可以提高硅纳米线的电导率和热导率，而杂原子掺杂则会引入额外的散射机制，从而降低硅纳米线的导电性能。
我们还研究了碳硅复合纳米材料（如碳包覆硅纳米线）的输运性质，并提出了一种基于所得结果的改进设计方案，以提高这类材料的电子输运性能。
综上所述，我们的研究结果为低维碳硅纳米材料的设计和应用提供了一定的理论基础和参考。