应变对单层硒化钨能带结构的影响研究-豆柴文库

应变对单层硒化钨能带结构的影响研究.pptx

2024-10-09

20金币

688KB

18页

快乐****蜜蜂

实名认证

内容提供者

1/10

2/10

3/10

4/10

5/10

6/10

7/10

8/10

9/10

10/10

亲，该文档总共18页，到这已经超出免费预览范围，如果喜欢就直接下载吧～

下载提示文本预览

如果您无法下载资料，请参考说明：

1、部分资料下载需要金币，请确保您的账户上有足够的金币

2、已购买过的文档，再次下载不重复扣费

3、资料包下载后请先用软件解压，在使用对应软件打开

相关资料

应变对单层硒化钨能带结构的影响研究.pptx

添加副标题目录PART01应变对单层硒化钨能带结构的改变应变对单层硒化钨电子结构的影响应变对单层硒化钨光学性质的影响应变对单层硒化钨电学性质的影响PART02应变对单层硒化钨能带结构影响的理论模型应变对单层硒化钨能带结构影响的动力学过程应变对单层硒化钨能带结构影响的微观机制应变对单层硒化钨能带结构影响的实验验证PART03应变调控单层硒化钨能带结构的潜在应用价值应变调控单层硒化钨能带结构在电子器件中的应用前景应变调控单层硒化钨能带结构在光电器件中的应用前景应变调控单层硒化钨能带结构在其他领域的应用前景感谢

2024-10-09

688KB

单层二硒化钨及其合金的合成与器件的研究的开题报告.docx

单层二硒化钨及其合金的合成与器件的研究的开题报告一、研究背景与意义近年来，二维材料的研究受到了广泛的关注，其中二硒化钨（WSe2）是一种具有重要应用前景的半导体材料。作为一种典型的过渡族二硫属化合物，WSe2具有很好的机械强度、热稳定性、光电性能和优异的光吸收性能。与此同时，单层WSe2还具有与高品质因子的自然量子束缚效应、有源电子学行为、自发极化等特性。在WSe2的应用领域，电子学器件的研究是其中重要的一个方向。由于一系列性能的优越性，WSe2被广泛地用于能够实现自振荡、激光等重要器件研究。同时WSe2

2024-10-15

10KB

CVD法制备单层二硒化钨薄膜及其生长机制研究.docx

CVD法制备单层二硒化钨薄膜及其生长机制研究摘要：本文采用化学气相沉积法（CVD）制备了单层二硒化钨（WSe2）薄膜，并探究了其成长机理。通过不同气氛下的实验，发现常规CVD方法下，反应气氛对WSe2薄膜质量和晶体结构有着重要的影响。研究表明，氮气等惰性气体存在下，可以提高二硒化钨薄膜的成长速率、增加晶格缺陷，但也会降低制备薄膜的晶体质量。相比之下，氢气氛围可以在保证晶体质量的同时提高成长速率，同时较低的反应温度也能满足制备单层WSe2的需求。关键词：二硒化钨；单层薄膜；化学气相沉积法；成长机理1.引言随

2024-10-16

12KB

制备大面积单层二硒化钨单晶的方法.pdf

本发明公开了一种制备大面积单层二硒化钨单晶的方法，主要解决了传统制备方法工艺较复杂，可控性差的问题，其实施步骤为：1.选用衬底并进行RCA标准清洗，选取两片衬底依次用去离子水、丙酮和异丙醇超声清洗5分钟，吹干；2.将清洗后的衬底置于管式炉内，准备两只石英舟分别作为钨舟和硒舟，将NaCl溶液滴在第一片衬底前端后在热板上加热至去离子水完全气化；在第一片衬底盛放WO

2023-06-17

651KB

Si基应变材料能带结构研究的任务书.docx

Si基应变材料能带结构研究的任务书任务名称：Si基应变材料能带结构研究任务背景：Si基应变材料具有优异的电学特性，是研发高性能电子器件的重要材料之一。然而，缺陷和杂质对应变材料的电子性质影响很大，因此需要深入研究Si基应变材料的能带结构，为其高性能的应用提供理论依据。任务目标：本任务旨在探究Si基应变材料的电子能带结构，并分析缺陷和杂质对其电子特性的影响，为其高性能应用提供理论支持。任务内容：1.收集Si基应变材料的实验和理论研究文献，了解其晶体结构、电学性质等基本特性。2.建立Si基应变材料的电子结构模

2024-09-14

10KB