PLD法制备ZnO基透明导电薄膜及其性能研究的任务书.docx
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PLD法制备Nb掺杂ZnO基透明导电薄膜及其性能研究的中期报告本研究通过分步射频辉光放电(PulsedLaserDeposition,PLD)法在玻璃基底上制备了不同掺杂浓度的Nb掺杂ZnO(ZnO:Nb)基透明导电薄膜,并对其性能进行了表征和研究。首先,通过X射线衍射仪(XRD)分析,得出样品均为极化轴晶系,并且Nb掺杂没有改变其结构,且Nb5%掺杂下的晶格常数较纯ZnO样品增加了0.12%。其次,通过扫描电子显微镜(SEM)分析,发现样品表面平整,且ZnO:Nb晶粒细小,且掺杂浓度越高,晶粒尺寸越小。
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