PLD法制备Nb掺杂ZnO基透明导电薄膜及其性能研究的中期报告.docx

PLD法制备Nb掺杂ZnO基透明导电薄膜及其性能研究的中期报告
本研究通过分步射频辉光放电（PulsedLaserDeposition，PLD）法在玻璃基底上制备了不同掺杂浓度的Nb掺杂ZnO（ZnO:Nb）基透明导电薄膜，并对其性能进行了表征和研究。
首先，通过X射线衍射仪（XRD）分析，得出样品均为极化轴晶系，并且Nb掺杂没有改变其结构，且Nb5%掺杂下的晶格常数较纯ZnO样品增加了0.12%。
其次，通过扫描电子显微镜（SEM）分析，发现样品表面平整，且ZnO:Nb晶粒细小，且掺杂浓度越高，晶粒尺寸越小。
然后，对样品进行了电学性能测试，发现掺杂Nb之后，ZnO基薄膜的导电性得到了明显提高，且随着掺杂浓度增加，电阻率减小。在Nb掺杂浓度为5%的样品中，其电阻率最小，约为1.64×10-3Ω·cm，透过率达到了84%以上。
最后，对样品进行了光学性能测试，发现随着Nb掺杂浓度的增加，样品的透过率略微降低，但在可见光区域内的透过率均在八成以上。同时，在蓝光区域样品的吸收率有所增加，呈现出略微的吸收峰。
综上所述，本研究成功制备了Nb掺杂的ZnO透明导电薄膜，并且发现其电学性能和光学性能均优于了未掺杂的ZnO样品，具有应用潜力。