内容提供者
SiC纳米结构场发射阴极研究进展.pptx
2024-10-06
20金币
2.2MB
24页
快乐****蜜蜂
实名认证
内容提供者
1/10
2/10
3/10
4/10
5/10
6/10
7/10
8/10
9/10
10/10
亲，该文档总共24页，到这已经超出免费预览范围，如果喜欢就直接下载吧～
相关资料
SiC纳米结构场发射阴极研究进展.pptx
SiC纳米结构场发射阴极研究进展目录添加章节标题SiC纳米结构场发射阴极的制备技术化学气相沉积法物理气相沉积法电化学沉积法溶胶-凝胶法SiC纳米结构场发射阴极的性能研究场发射电流密度和稳定性场发射阈值电压场发射寿命和可靠性场发射机理研究SiC纳米结构场发射阴极的应用前景在平板显示器领域的应用在电子枪和离子源领域的应用在真空电子器件领域的应用在其他领域的应用前景SiC纳米结构场发射阴极的挑战与展望面临的主要挑战未来发展方向和趋势对材料和制备技术的要求对应用领域的拓展和深化THANKYOU
2024-10-06
20
2.2MB
SiC柔性场发射阴极材料.pdf
一种制备SiC柔性场发射阴极材料的方法，其包括以下具体步骤：(1)有机前驱体聚硅氮烷于260℃保温30min热交联固化，然后球磨粉碎：(2)选择碳布为柔性衬底，在0.05mol/LCo(NO3)2乙醇溶液中浸渍并超声处理10s，然后自然晾干备用；(3)将粉碎得到的粉末和浸渍处理的碳布衬底分别置于石墨坩埚底部和顶端：(4)将石墨坩埚置于气氛烧结炉中，在氮氩混合气氛保护下加热至1500～1550℃进行高温热解；(5)随炉冷却至室温，实现以碳布为衬底的柔性SiC准定向纳米阵列的制备：(6)将SiC准定向纳米阵列
2023-06-19
10
458KB
一种N掺杂SiC纳米针柔性场发射阴极材料的制备方法.pdf
本发明涉及一种N掺杂SiC纳米针柔性场发射阴极材料的制备方法，属材料制备技术领域。该制备方法为：将有机前驱体进行预处理；将催化剂形成于柔性衬底上；将有机前躯体和柔性衬底一起置于气氛烧结炉中，加热至1700-1800℃进行热解，然后冷却降温至1000-1200℃，最后随炉降至室温，得到N掺杂SiC纳米针柔性场发射阴极材料。本发明不仅实现了N掺杂SiC纳米针柔性场发射阴极材料的制备，而且，本发明所制备的N掺杂SiC纳米针柔性场发射阴极材料在不同温度下均具有较低的开启电场，同时，在高温下也具有稳定的电子发射特性
2023-06-19
10
655KB
一维ZnO纳米结构的场发射性能研究进展.docx
一维ZnO纳米结构的场发射性能研究进展随着纳米科技的发展和应用，一维纳米结构的研究已经成为一个热点领域。其中，一维ZnO纳米结构因其晶体结构稳定、生物相容性好、光学性能优异等特点，成为了研究的重点之一。在这些特性中，一维ZnO纳米结构的发射性能尤其值得关注。本文旨在综述一维ZnO纳米结构的场发射性能研究进展，并对其应用前景进行探讨。一、一维ZnO纳米结构的制备方法一维ZnO纳米结构可以通过多种方法制备。其中，热蒸发法、电化学沉积法和水热法是最常用的方法。热蒸发法是一种非常简单的方法，可以通过控制沉积温度和
2024-11-13
5
10KB
碳纳米管场发射阴极电泳法制备及场发射特性研究.docx
碳纳米管场发射阴极电泳法制备及场发射特性研究碳纳米管场发射阴极电泳法制备及场发射特性研究摘要：碳纳米管（CNTs）具有极高的比表面积、导电性和机械强度，是制备高性能场发射阴极的理想材料。电泳法是制备碳纳米管场发射阴极的一种有效方法。本文研究使用电泳法制备高质量碳纳米管场发射阴极，并对其场发射特性进行了研究。结果表明，碳纳米管场发射阴极具有优良的场发射性质，可以用于电子器件中的取代传统微加工方法来实现高性能低成本的电子元件制造。关键词：碳纳米管，场发射，电泳法，阴极引言：场发射阴极是一种能够将高速电子从表面
2024-11-11
5
10KB