一种N掺杂SiC纳米针柔性场发射阴极材料的制备方法.pdf

本发明涉及一种N掺杂SiC纳米针柔性场发射阴极材料的制备方法，属材料制备技术领域。该制备方法为：将有机前驱体进行预处理；将催化剂形成于柔性衬底上；将有机前躯体和柔性衬底一起置于气氛烧结炉中，加热至1700-1800℃进行热解，然后冷却降温至1000-1200℃，最后随炉降至室温，得到N掺杂SiC纳米针柔性场发射阴极材料。本发明不仅实现了N掺杂SiC纳米针柔性场发射阴极材料的制备，而且，本发明所制备的N掺杂SiC纳米针柔性场发射阴极材料在不同温度下均具有较低的开启电场，同时，在高温下也具有稳定的电子发射特性

2023-06-19

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一种提高场发射性能的N掺杂SiC纳米线的制备方法.pdf

本发明公开了一种提高场发射性能的N掺杂SiC纳米线的制备方法，该方法是将SiC纳米线置于管式炉中，抽真空至100Pa后，通入纯度为99.8％的氨气至炉内气压约为103kPa；以10℃/min的升温速率将炉温升至700～900℃，保温160～220min；关闭通气阀门，关闭电源，随炉冷却至室温得到提高场发射性能的N掺杂SiC纳米线。该方法具有掺氮温度及能耗低，设备要求低，操作简便等优点，以制得的N掺杂SiC纳米线为场发射阴极材料具有比未掺杂的SiC纳米线更低的开启电场(0.8～1.05V/μm)和阈值电场(

2023-06-19

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SiC柔性场发射阴极材料.pdf

一种制备SiC柔性场发射阴极材料的方法，其包括以下具体步骤：(1)有机前驱体聚硅氮烷于260℃保温30min热交联固化，然后球磨粉碎：(2)选择碳布为柔性衬底，在0.05mol/LCo(NO3)2乙醇溶液中浸渍并超声处理10s，然后自然晾干备用；(3)将粉碎得到的粉末和浸渍处理的碳布衬底分别置于石墨坩埚底部和顶端：(4)将石墨坩埚置于气氛烧结炉中，在氮氩混合气氛保护下加热至1500～1550℃进行高温热解；(5)随炉冷却至室温，实现以碳布为衬底的柔性SiC准定向纳米阵列的制备：(6)将SiC准定向纳米阵列

2023-06-19

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SiC一维纳米材料的N掺杂及场发射性能研究.docx

SiC一维纳米材料的N掺杂及场发射性能研究摘要本文研究了一维SiC纳米材料的N掺杂及场发射性能。首先介绍了SiC材料的特点和应用，随后探讨了N掺杂对SiC材料的影响。接下来，介绍了一种制备一维SiC纳米材料的方法，并通过实验研究了N掺杂对其场发射性能的影响。实验结果表明，N掺杂能够显著提高一维SiC纳米材料的场发射性能，这为其在微电子学领域的应用提供了新的可能性。关键词：SiC；纳米材料；N掺杂；场发射引言SiC是一种具有广泛应用前景的半导体材料，其在高温、高功率、高频率等方面具有出色的性能，而且还具有优

2024-10-15

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SiC纳米结构场发射阴极研究进展.pptx

SiC纳米结构场发射阴极研究进展目录添加章节标题SiC纳米结构场发射阴极的制备技术化学气相沉积法物理气相沉积法电化学沉积法溶胶-凝胶法SiC纳米结构场发射阴极的性能研究场发射电流密度和稳定性场发射阈值电压场发射寿命和可靠性场发射机理研究SiC纳米结构场发射阴极的应用前景在平板显示器领域的应用在电子枪和离子源领域的应用在真空电子器件领域的应用在其他领域的应用前景SiC纳米结构场发射阴极的挑战与展望面临的主要挑战未来发展方向和趋势对材料和制备技术的要求对应用领域的拓展和深化THANKYOU

2024-10-06

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