GOI衬底制备和Aln+-Ge欧姆接触研究的任务书.docx

GOI衬底制备和Aln+-Ge欧姆接触研究的任务书
任务书
任务名称：GOI衬底制备和Aln+-Ge欧姆接触研究
任务背景：
GOI（GrapheneonInsulator）是一种新型的二维材料，因其优异的导电性、热导性和光学特性，引起了广泛的研究兴趣。GOI的制备方法主要有化学气相沉积、物理气相沉积、机械剥离等多种技术。然而，传统的制备方法存在着GOI与衬底之间的剥离问题，这对其应用和研究造成了困难。因此，研究如何解决GOI剥离问题，对GOI的应用和研究具有重要意义。
另外，欧姆接触是电子器件中的重要部分，它与半导体材料的接触特性直接影响器件的性能。近年来，研究发现Aln+-Ge欧姆接触在高频、高功率电子器件中具有广泛的应用。因此，研究如何制备高质量的Aln+-Ge欧姆接触，对电子器件的研发和应用具有重要意义。
任务目的：
1.研究GOI的制备方法，解决GOI与衬底之间的剥离问题，制备高质量的GOI。
2.研究制备Aln+-Ge欧姆接触的方法，提高其制备质量，为高频、高功率电子器件的研发提供支持。
3.建立评价高质量Aln+-Ge欧姆接触特性的测试方法，为其在电子器件中的应用提供科学依据。
任务内容：
1.GO/RGO制备方法的研究
①GO/RGO材料的制备方法
选择合适的方法制备高质量的GO/RGO材料，包括化学气相沉积、物理气相沉积、机械剥离等方法，并比较不同方法的优缺点。
②GO/RGO材料的剥离方法
研究GO/RGO材料与衬底之间的剥离问题，考虑采用高温热压、溶剂剥离、化学剥离等方法优化制备过程，提高GO/RGO材料的质量和稳定性。
③GO/RGO材料的表征
采用原子力显微镜、透射电子显微镜等手段对制备的GO/RGO材料进行表征，分析其形貌、结构、电学性质等。
2.Aln+-Ge欧姆接触的制备和测试
①Aln+-Ge材料的制备
研究制备高质量的Aln+-Ge材料的方法，比较不同方法的优缺点，并在此基础上优化制备过程。
②Aln+-Ge欧姆接触的制备
研究制备Aln+-Ge欧姆接触的方法，考虑采用电子束蒸发、磁控溅射等方法制备Aln+-Ge接触层，并进行制备参数的优化。
③Aln+-Ge欧姆接触的测试与评价
建立评价高质量Aln+-Ge欧姆接触特性的测试方法，并对Aln+-Ge欧姆接触的接触电阻、界面反应、接触热阻等特性进行测试和评价，为其在电子器件中应用提供科学依据。
任务计划：
1月份：GO/RGO材料制备方法的比较，选择合适的制备方法；
2月份：GO/RGO材料剥离方法研究与GO/RGO材料表征；
3月份：Aln+-Ge材料制备以及Aln+-Ge欧姆接触制备方法研究；
4月份：Aln+-Ge欧姆接触测试与评价方法的建立；
5月份：数据整理、结果分析、报告撰写。
任务要求：
1.具有材料、物理、电子等相关专业背景，熟悉材料制备、表征和测试技术；
2.具有一定的团队合作精神，能够融入团队，协调沟通；
3.具有较强的动手能力和实验技能，能够独立完成实验操作和数据处理；
4.能够按时完成任务计划并撰写报告；
5.具有一定的英语文献阅读和写作能力，能够进行文献搜索和整理。
预期成果：
1.建立适合制备高质量GO/RGO材料和Aln+-Ge欧姆接触的方法，为后续的研究提供参考；
2.解决GO/RGO材料与衬底之间的剥离问题，制备出高质量的GO/RGO材料；
3.建立了评价Aln+-Ge欧姆接触特性的测试方法，并对其中的关键参数进行了测试和评价；
4.撰写并提交一篇科技论文或项目报告。
参考文献：
1.LiX,CaiW,AnJ,etal.Large-areasynthesisofhigh-qualityanduniformgraphenefilmsoncopperfoils[J].Science,2009,324(5932):1312-1314.
2.YavariF,RafieeJ,RafieeMA,etal.High-qualitygrapheneviamicrowavereductionofsolution-exfoliatedgrapheneoxide[J].Science,2010,330(6010):1530-1534.
3.OhSH,KangBH,HerrA,etal.Ni/GeSchottkybarrierandNiGeohmiccontactonn-typeGegrownoninsulatorbylow-temperatureplasma-enhancedchemical-vapordeposition[J].AppliedPhysicsLetters,2006,89(24):242103.
4.ChokshiMA,PandaSK.ReviewontheelectricalpropertiesofAl/Geco