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硅衬底GaN基LED钝化层与P面欧姆接触的研究的任务书
任务书
课题名称：硅衬底GaN基LED钝化层与P面欧姆接触研究
任务来源：本科毕业设计
任务完成人：XXX
任务完成时间：2021.3.1-2021.6.30
任务主要内容：
1.调研硅衬底GaN基LED钝化层的研究现状，了解GaN材料及LED器件的物理特性、制备工艺等相关知识。
2.研究硅衬底GaN基LED的P面欧姆接触特性，分析P面接触电学参数对其性能的影响。
3.通过改变制备工艺、材料等因素，探索提高P面欧姆接触性能的方法，寻找可行的优化方案。
4.进行实验测试，验证所得结论的正确性和可行性，并撰写实验报告。
任务要求：
1.对硅衬底GaN基LED的钝化层及其制备工艺有较深入的了解，并掌握其表征方法。
2.对P面欧姆接触的电学特性、制备工艺及其与LED性能之间的关系有较深入的认识。
3.具备较强的实验操作技能，能够熟练操作电化学工作站、样品制备设备等。
4.有较好的数据处理和分析能力，能够通过实验数据较为准确地分析材料性能及其制备工艺等因素的影响。
5.按时完成实验，并撰写高质量的论文。
任务进度安排：
第一阶段（2021.3.1-2021.3.31）：调研阶段
1.阅读相关文献，了解硅衬底GaN基LED的钝化层制备和P面欧姆接触研究现状，并对GaN材料及LED器件的物理特性、制备工艺等进行深入了解。
2.撰写文献综述。
第二阶段（2021.4.1-2021.5.31）：实验研究阶段
1.制备硅衬底GaN基LED样品，并进行表征。
2.制备不同电学参数的P面欧姆接触样品，并进行表征。
3.通过改变制备工艺、材料等因素，探索提高P面欧姆接触性能的方法。
4.进行实验测试，得到实验数据，并分析其规律和特点。
第三阶段（2021.6.1-2021.6.30）：论文撰写阶段
1.整理实验数据，分析其规律和特点。
2.总结实验结果，讨论其含义和意义。
3.撰写毕业论文，反复修改，保证论文质量。
验收标准：
1.熟练掌握硅衬底GaN基LED钝化层的制备和检测方法。
2.对硅衬底GaN基LED的P面欧姆接触特性进行了较系统的分析，并探索了提高其性能的方法。
3.实验数据正确可靠，数据处理和分析能力良好。
4.论文结构合理、内容完整、表述清晰、语言简洁、格式规范。
5.按时完成所有任务，并参加相关的答辩和评比。