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ZnO基薄膜晶体管的研制的任务书
任务书：ZnO基薄膜晶体管的研制
一、研究背景
随着信息技术的不断发展，晶体管已经成为现代电子产品中不可或缺的重要组成部分。目前，硅基晶体管已经被广泛应用于各种电子产品中，但是由于硅基材料的限制，晶体管的性能已经达到了瓶颈。因此，研究新型晶体管材料以提高晶体管性能已成为研究的热点。
氧化锌（ZnO）薄膜是一种具有广泛用途的新型半导体材料，由于它具有优异的物理性质（如宽带隙、高透明度、高载流子迁移率等），因此被广泛研究和应用于各个领域。ZnO基薄膜晶体管具有较高的性能和可靠性，是一种极具潜力的新型晶体管材料。因此，开展ZnO基薄膜晶体管的研究对于推动电子技术的发展具有重要的意义。
二、研究目标
本研究旨在研制一种新型ZnO基薄膜晶体管，并探究其性能，最终达到以下目标：
1.成功制备出高质量的ZnO薄膜。
2.通过优化制备工艺，实现低温生长和低成本制备。
3.探究所制备的ZnO基薄膜晶体管的基本性能，并得出可靠性和稳定性测试数据。
4.通过与硅基晶体管的比较，评估ZnO基薄膜晶体管的性能优劣，为实际应用提供依据。
三、研究内容
1.ZnO薄膜的制备
采用化学气相沉积技术（CVD）或磁控溅射技术（sputtering）等方法，制备高质量的ZnO薄膜。通过改变沉积条件和后续处理等方法，优化薄膜成长，满足实际应用的要求。
2.ZnO晶体管制备及性能测试
利用光刻和蚀刻等技术，制备ZnO基薄膜晶体管。通过测试载流子迁移率、界面电荷密度、场效应迁移率等性能指标，评估所制备的晶体管的性能。
3.优化制备工艺
通过对制备工艺参数的优化，如气相中金属物质的浓度、沉积时间和温度等参数的优化，来提高生长薄膜的质量，并且实现低成本制备和低温生长。
4.性能比较与应用前景
与硅基晶体管进行性能比较，探究ZnO基薄膜晶体管相较于硅基晶体管的优势。并通过应用前景的探究和分析，为ZnO基薄膜晶体管在实际应用中的推广提供参考。
四、预期成果
1.成功制备出高质量的ZnO薄膜，并且实现低成本制备和低温生长。
2.成功制备出ZnO基薄膜晶体管，探究其基本性能，并得出可靠性和稳定性测试数据。
3.与硅基晶体管进行比较，评估ZnO基薄膜晶体管的性能优劣。
4.为ZnO基薄膜晶体管在实际应用中的推广提供可靠的参考依据。
五、研究计划
1.前期准备阶段：2021年1月-2021年6月
定义研究目标、确立研究方案、搜集相关文献，购买和组装相应的实验设备、准备必要的试剂和材料。
2.薄膜生长阶段：2021年7月-2022年1月
通过化学气相沉积技术（CVD）或磁控溅射技术（sputtering），制备高质量的ZnO薄膜，并优化薄膜成长条件。
3.晶体管制备阶段：2022年2月-2022年9月
利用光刻和蚀刻等技术制备ZnO基薄膜晶体管，并进行性能测试。
4.性能比较阶段：2022年10月-2023年3月
与硅基晶体管进行性能比较，并通过应用前景的探究和分析，为ZnO基薄膜晶体管在实际应用中的推广提供参考。
5.论文撰写和成果输出阶段：2023年4月-2023年6月
撰写研究论文并提交至核心期刊，同时进行成果展示和宣传。