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ZnO基薄膜及其阻变式存储器的研制的任务书
任务书
任务名称：ZnO基薄膜及其阻变式存储器的研制
任务背景：
随着信息技术的发展和应用对存储器的需求越来越高，传统的存储器几乎已经达到了极限。阻变式存储器具有储存容量大、速度快、功耗低等优点在信息技术领域得到广泛应用。其中，ZnO基薄膜阻变存储器因其具有快速的响应速度、较高的稳定性和长寿命等优点，成为当前阻变存储器研究的热点。
任务目标：
本项目旨在研制出一种基于ZnO薄膜的阻变式存储器，具有以下目标：
1.研制出基于ZnO薄膜的阻变存储器，具有较高的读写速度和储存容量。
2.实现阻变存储器的高度可靠性，提高存储器的寿命。
3.深入研究阻变机理，并设计出更为精准的阻变膜。
4.对阻变存储器进行优化，提高其性能和稳定性。
任务内容：
1.设计并制备ZnO薄膜，研究其功函数，优化制备过程。
2.分析阻变机理，建立合适的阻变模型。
3.设计并制备ZnO基薄膜的阻变存储器，研究其性能参数。
4.对阻变存储器进行优化工作，提高其存储性能、读写速度和稳定性。
5.加强阻变机理的研究，设计更为精准的阻变膜。
6.对研究成果进行评估，撰写完整的研究论文，发表论文。
任务计划：
第一年：
1.设计ZnO薄膜的制备过程，进行实验制备。
2.对制备出的ZnO薄膜进行性质研究，并建立ZnO薄膜的功函数模型。
3.建立阻变存储器模型，进行阻变机理研究。
4.设计并制备基于ZnO薄膜的阻变存储器，并测试其性能。
第二年：
1.分析存储器研制过程中的问题，对制备工艺进行优化。
2.进一步研究阻变机理，设计精准的阻变膜，并进行测试。
3.对存储器进行优化，提高其读写速度和存储容量。
4.对达到预期效果的研究成果进行论文报告的准备。
第三年：
1.对存储器进行细致的性能测试，并评估其在信息技术领域中的应用价值。
2.逐步完善存储器性能，提高其稳定性和使用寿命。
3.对研究成果进行综述性阐述，完成论文撰写并发表。
任务预期成果：
1.成功制备出基于ZnO薄膜的阻变存储器，有望成为信息科技发展中的重要应用基础。
2.开拓了ZnO薄膜的新研究方向，为阻变存储器应用的拓展提供了理论与实践支持。
3.撰写的论文将一定程度上提高我国相关领域研究的水平，涵盖了物理、电子、材料等多个领域。