GaN基LED器件模拟.pptx
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GaN基LED器件模拟.pptx
汇报人:CONTENTSPARTONEPARTTWOGaN基LED器件的发展历程GaN基LED器件的应用领域GaN基LED器件模拟的必要性PARTTHREE模拟方法的分类和选择模拟的基本原理和数学模型模拟软件和工具介绍PARTFOUR材料性质模拟器件结构设计和优化载流子输运和光学性质模拟可靠性分析和寿命预测PARTFIVE高亮度LED器件模拟白光LED器件模拟新型结构LED器件模拟LED器件可靠性分析和优化PARTSIX新型材料和新型结构的探索高效能和高可靠性LED器件的研发LED器件模拟技术的发展方向和
GaN基微型LED阵列器件的制备方法及阵列器件.pdf
本发明涉及一种GaN基微型LED阵列器件的制备方法,该方法在LED阵列器件的外延结构上生长一层ITO薄膜,然后采用掩膜对外延结构非像素点区域的ITO薄膜进行湿法刻蚀,保留像素点区域的ITO薄膜作为像素点P电极的欧姆接触层。
GaN基LED器件的结构设计及模拟的中期报告.docx
GaN基LED器件的结构设计及模拟的中期报告中期报告:一、课题背景GaN材料具有优异的电学、光学和热学性能,在高功率和高频电子器件中具有广泛的应用前景。GaN基LED器件作为一种新型的半导体照明器件,具有可调节性、节能、易于自动化等优点,因此在照明、显示等领域得到了广泛的应用。其中,LED器件的结构设计和模拟研究是GaN基LED器件研究的重要基础。二、研究目的本课题的目的是通过对GaN基LED器件的结构设计和模拟研究,探究GaN材料的优异性质在LED器件中的应用,提高LED器件的效率,增强其应用前景。三、
高效GaN基阵列式高压LED器件的研究.pptx
高效GaN基阵列式高压LED器件的研究目录添加目录项标题研究背景与意义GaN基LED发展概况高压LED器件的优势与挑战研究目的与意义GaN基材料与器件结构GaN基材料特性高压LED器件结构与工作原理阵列式LED器件的设计与优化高效GaN基高压LED器件的制备与表征器件制备工艺流程器件性能参数表征关键工艺参数对器件性能的影响高效GaN基高压LED器件的优化与应用优化方法与实验验证高压LED器件在显示领域的应用高压LED器件在其他领域的应用前景研究总结与展望研究成果总结未来研究方向与展望感谢观看
高效GaN基阵列式高压LED器件的研究.docx
高效GaN基阵列式高压LED器件的研究概述由于LED灯具已被证明是未来照明的主要候选方案,高效GaN基高压LED器件的研究变得十分关键。晶体管和其他电子器件中流经材料的电流一般都是由输运能级高于费米能级的载流子贡献的。在半导体材料中,这些载流子通常是电子和空穴。对于高压LED器件而言,需要从电源中有限量的电能中转换成高亮度的光芒。GaN材料的独特特性使它非常适合用于LED器件的构建。可通过化学气相沉积(CVD)或分子束外延生长(MBE)制造出高质量GaN晶体。然而,GaN单晶的各向异性、缺陷密度及杂质增加