基于表面势的GaN HEMT器件模型研究.pptx
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基于表面势的GaNHEMT器件模型研究目录添加目录项标题研究背景与意义GaNHEMT器件的应用领域GaNHEMT器件的研究现状表面势对GaNHEMT器件性能的影响表面势模型的理论基础表面势模型的建立表面势模型的基本原理表面势模型的求解方法GaNHEMT器件的物理特性GaN材料的物理性质GaNHEMT器件的结构与工作原理GaNHEMT器件的电流电压特性基于表面势的GaNHEMT器件模型建立表面势模型的参数提取表面势模型的验证与修正基于表面势模型的GaNHEMT器件性能预测实验验证与结果分析实验测试系统介绍实
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基于表面势的GaNHEMT器件模型研究的开题报告1.研究背景和意义氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)是当今高速、高功率电子器件的重要组成部分。但是,在高功率条件下,GaNHEMT晶体管容易受到器件漏电流和击穿电压温度效应的影响,造成器件失效。因此,对GaNHEMT器件的物理模型的研究尤为重要。表面势空间电荷限制模型(SCLM)是GaNHEMT器件的一种有效模型,可用于分析器件在不同工作情况下的电学性能,并开展更深入的研究。2.研究内容和目的在本研究中,将基于表面势空间电荷限制模型(SCLM),
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基于表面势的GaNHEMT器件模型研究的中期报告一、研究背景和意义氮化硅(GaN)材料因其高电子迁移率和较大的能带宽度而为高频功率电子器件领域所关注,其中HEMT(高电子迁移率晶体管)是其最典型的应用之一。为了进一步提高HEMT的性能,需要对其内部物理机制进行深入研究和优化。表面势模型是一种有效的HEMT器件模拟方法,通过建立表面势方程来描述材料表面电势分布和载流子传输情况,从而模拟器件的性能特征。因此,研究基于表面势的GaNHEMT器件模型对于分析其内部性能特征具有重要的理论和实际意义。二、研究进展及成
基于表面势的GaN HEMT器件模型研究的任务书.docx
基于表面势的GaNHEMT器件模型研究的任务书任务书一、任务背景与目的表面势是半导体器件中关键的物理量之一,对于模拟和设计该器件的特性非常重要。氮化镓高电子迁移率晶体管(GaNHEMT)是现代半导体器件中具有极高性能的一种材料,广泛应用于功率放大器、射频开关等领域。为了更好地理解和优化GaNHEMT器件的性能,我们需要建立基于表面势的器件模型,以便进行仿真和优化设计。本次研究的目的是基于表面势的GaNHEMT器件模型的建立与研究,探讨该模型在器件特性仿真中的应用,为进一步优化器件性能提供理论指导和依据。二
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GaN基欧姆接触及AlGaN/GaNHEMT器件研究的开题报告Title:StudyofGaN-basedOhmicContactsandAlGaN/GaNHEMTDevicesIntroduction:TheGaN-baseddeviceshaveattractedsignificantattentioninrecentyearsduetotheirhighelectronmobilityandhighbreakdownvoltage.TheAlGaN/GaNHEMT(HighElectronMobil