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高质量单晶立方相MgZnO薄膜的生长制备器件特性研究的中期报告
本研究旨在生长制备高质量的单晶立方相MgZnO薄膜，并研究其器件特性。本中期报告主要介绍了研究的进展情况和未来研究计划。
一、研究进展情况
1.MgZnO薄膜的生长
我们采用有机金属化学气相沉积法（MOCVD）生长了MgZnO薄膜。通过调整生长温度、沉积时间和气氛等控制生长过程，得到了较为均匀的薄膜。利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜对薄膜的结晶性和形貌进行了分析，结果表明薄膜具有较好的单晶立方相结构和较为光滑的表面形貌。
2.器件制备
我们采用光刻工艺制备了基于MgZnO薄膜的MOSFET器件。通过对器件的电学性能进行测试，发现该器件具有较高的开关比和较低的漏电流，符合目前晶体管的要求。
二、未来研究计划
1.优化生长参数
当前我们已经得到了较为均匀的MgZnO薄膜，但是还有很大的提升空间。因此，我们将进一步优化生长参数，以期得到更高质量的薄膜。
2.深入探究器件性能
由于时间有限，我们目前的测试仅能对MgZnOMOSFET器件进行简单测试，未来将深入探究器件特性，以期进一步提升器件性能。
3.探究其他器件
除了MOSFET器件，MgZnO薄膜还具有广泛的应用前景，未来我们将探究其他类型的器件，如MgZnOLED等。
总之，我们计划继续深入探究MgZnO薄膜的生长和器件性能，进一步提升其应用前景。