立方相氧锌镁单晶薄膜的生长制备方法.pdf

立方相氧锌镁单晶薄膜的生长制备方法属于半导体光电材料制备技术领域，该方法利用LP-MOCVD方法在低温富氧条件下生长立方相MgZnO薄膜，生长条件是：选用蓝宝石和氧化镁衬底，生长室压力为2×104Pa，生长温度280-450℃；载气为99.999％氮气，MCp2Mg作为镁源，源温控制在40-50℃，其摩尔流量为18-40μmol/min；DEZn作为锌源，源温为-5℃，摩尔流量为0.45-3μmol/min；以高纯氧气作氧源，摩尔流量为0.07mol/min，使得II/VI族比例远远小于1。本发明生长制备

2023-06-14

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镁锌氧薄膜及其器件的制备与性质研究的中期报告.docx

镁锌氧薄膜及其器件的制备与性质研究的中期报告该研究旨在探究镁锌氧薄膜及其器件的制备与性质，并在此基础上提高其电学性能和光学性能。下面是中期报告的内容概要：一、研究背景及意义：镁锌氧薄膜作为一种新型透明导电材料，具有优异的电学性能和光学性能，在LCD和OLED显示器、智能手机等电子产品中广泛应用。然而，目前制备的镁锌氧薄膜的电学性能和光学性能仍有待提高，因此有必要进行深入研究。二、研究方法：采用磁控溅射技术，制备不同成分比例的镁锌氧薄膜，并对其结构、光学、电学性能进行测试和分析。在此基础上，设计并制备了不同

2024-09-22

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高质量单晶立方相MgZnO薄膜的生长制备器件特性研究的开题报告.docx

高质量单晶立方相MgZnO薄膜的生长制备器件特性研究的开题报告1.研究背景和意义MgZnO是一种具有广泛应用前景的半导体材料。它具有优良的光电性能，具有高透明性、宽带隙、大功率输出和高热稳定性等特点，可以用于制备高性能的透明电子器件，例如太阳电池、场发射器、白光发光二极管和激光器等。然而，制备高质量单晶立方相MgZnO薄膜的方法仍受到挑战。2.研究内容和目标本研究旨在开发一种新的制备高质量单晶立方相MgZnO薄膜的方法，并研究其器件特性。具体研究内容如下：（1）采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术制

2024-09-17

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高质量单晶立方相MgZnO薄膜的生长制备器件特性研究的中期报告.docx

高质量单晶立方相MgZnO薄膜的生长制备器件特性研究的中期报告本研究旨在生长制备高质量的单晶立方相MgZnO薄膜，并研究其器件特性。本中期报告主要介绍了研究的进展情况和未来研究计划。一、研究进展情况1.MgZnO薄膜的生长我们采用有机金属化学气相沉积法（MOCVD）生长了MgZnO薄膜。通过调整生长温度、沉积时间和气氛等控制生长过程，得到了较为均匀的薄膜。利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜对薄膜的结晶性和形貌进行了分析，结果表明薄膜具有较好的单晶立方相结构和较为光滑的表面形貌。2.器件制备我们采用光刻工艺制

2024-10-01

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镁锌氧薄膜及其器件的制备与性质研究的任务书.docx

镁锌氧薄膜及其器件的制备与性质研究的任务书任务书一、任务背景随着信息技术的不断发展，新型电子器件和微电子器件的需求不断提高，对材料的性能和性质也提出了更高的要求。镁锌氧薄膜作为一种新型材料，具有较高的透明性、导电性和光电性能，被广泛地用于LED、太阳能电池、光电传感器等领域。因此，深入研究镁锌氧薄膜及其器件的制备与性质具有重要的理论意义和应用价值。二、任务目标本研究旨在深入研究镁锌氧薄膜及其器件的制备与性质，探索镁锌氧薄膜在不同领域的应用，并提高其性能，达到以下目标：1.研究镁锌氧薄膜的制备工艺，探索不同

2024-10-13

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