用化学气相沉积CVD法制备薄膜材料.ppt
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用化学气相沉积(CVD)法制备薄膜材料234567891011121314151617181920212223242526272829303132333435363738394041
化学气相沉积CVD.ppt
§8.3化学气相沉积(CVD)一、普通CVDNi(CO)4(气)190~240℃Ni(固)+4CO↑CH4(气)900~1200℃C(固)+2H2↑TiI4(气)加热Ti(固)+2I2↑用作热分解反应沉积的气态化合物原料主要有:硼的氯化物,氢化物;第IV族大部分元素的氢化物和氯化物;VB、VIB族的氢化物和氯化物;铁、镍、钴的羰基化合物和羰基氯化物;以及铁、镍、铬、铜等的金属有机化合物等。(2)化学反应沉积(3)沉积条件2.沉积装置反应器的类型:沉积过程:3.分类4.影响沉积膜质量的因素(2)反应气
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一、普通CVDNi(CO)4(气)190~240℃Ni(固)+4CO↑CH4(气)900~1200℃C(固)+2H2↑TiI4(气)加热Ti(固)+2I2↑用作热分解反应沉积的气态化合物原料主要有:硼的氯化物,氢化物;第IV族大部分元素的氢化物和氯化物;VB、VIB族的氢化物和氯化物;铁、镍、钴的羰基化合物和羰基氯化物;以及铁、镍、铬、铜等的金属有机化合物等。(2)化学反应沉积(3)沉积条件2.沉积装置反应器的类型:沉积过程:3.分类4.影响沉积膜质量的因素(2)反应气体的比例及浓度(3)基体对沉积
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