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一、普通CVDNi(CO)4(气)190~240℃Ni(固)+4CO↑ CH4(气)900~1200℃C(固)+2H2↑ TiI4(气)加热Ti(固)+2I2↑ 用作热分解反应沉积的气态化合物原料主要有: 硼的氯化物,氢化物; 第IV族大部分元素的氢化物和氯化物; VB、VIB族的氢化物和氯化物; 铁、镍、钴的羰基化合物和羰基氯化物; 以及铁、镍、铬、铜等的金属有机化合物等。(2)化学反应沉积(3)沉积条件2.沉积装置反应器的类型:沉积过程:3.分类4.影响沉积膜质量的因素(2)反应气体的比例及浓度(3)基体对沉积膜层的影响5.CVD的优缺点二、等离子体化学气相沉积(PECVD)(3)性质及应用3.PECVD装置4.PECVD的特点三、光CVD(PCVD)(1)成膜反应过程(3)装置2.直接光解反应几种成膜技术的比较制膜主要工艺参数比较谢谢!