硅基MOS器件的电离辐照效应分析的综述报告.docx
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AlGaNGaNHEMT器件的辐照效应研究的综述报告AlGaNGaNHEMT(AluminumGalliumNitrideGalliumNitrideHighElectronMobilityTransistor)器件作为一种高性能、高功率的微波功率放大器,已经在通讯、雷达和卫星通信等领域得到了广泛的应用。但是,在辐射环境下,AlGaNGaNHEMT器件会受到辐照效应的影响,可能导致器件性能的不稳定和退化。因此,对AlGaNGaNHEMT器件在辐照环境下的行为进行深入研究,对于增强器件抗辐照能力和提高其在放