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应变CMOS器件结构模型研究的任务书
任务书
题目：应变CMOS器件结构模型研究
背景：
随着当今信息技术的快速发展，人们对于半导体器件的需求也越来越大。而晶体管作为半导体器件中的重要组成部分，在当今的信息技术中，则起到了十分重要的作用。而随着人们对于信息的需求不断增加以及更高的芯片转换率，对于晶体管的应变集成已经成为了当下研究的重要方向。应变CMOS器件可以通过应变技术实现技术的突破和超越，具有广泛的应用前景，这就需要对应变CMOS器件结构模型进行研究。
任务：
本次研究的主要任务是对应变CMOS器件结构模型进行研究。该研究主要分为以下几个方面：
1.了解应变CMOS器件技术的相关概念和基本原理，并对其发展趋势和应用前景进行梳理和分析。
2.分析不同应变CMOS器件技术的特征和优缺点，针对应变CMOS器件的结构模型进行深入的研究，寻找最优的应变技术。
3.基于已有的理论和实验分析，建立应变CMOS器件结构模型，对模型进行仿真和优化，探究应变技术对晶体管参数的影响，并确定最佳的应变技术。
4.针对已建立的应变CMOS器件结构模型，开展器件工艺流程的数值模拟和实验制备方案的设计，以实验数据为依据，对模型进行验证和优化。
5.最后，基于理论分析和实验研究的结果，对应变CMOS器件结构模型进行系统性分析和总结，得出应变CMOS器件结构模型的优缺点及其未来发展方向等。
要求：
1.本次研究需要对CMOS器件和应变技术有一定的了解，重点针对应变CMOS器件的结构模型进行深入研究。
2.研究过程中需注重理论和实验相结合，取得可靠的实验结果，并对数据进行分析和总结。
3.本次研究需要使用相关的软件进行仿真和优化，需具备较强的数学分析能力和计算机技能。
4.研究结果需具有一定的创新性和实用性。
时间：
本次研究的时间为半年，从XX年XX月到XX年XX月。
预期成果：
1.完成应变CMOS器件结构模型的建立和仿真，并得出最优的应变技术。
2.完成数值模拟和实验制备方案的设计，并取得实验数据。
3.得出应变CMOS器件结构模型的优缺点及其未来发展方向等。
4.完成任务书所述的其他任务。
参考文献：
1.YanqingWu,XiaoLiu.StrainedsiliconMOSFETs:Materials,DevicePhysics,andDesign.SpringerScience&BusinessMedia,2012.
2.AliNiknejad,RobertW.Dutton.HandbookofSemiconductorManufacturingTechnology.CRCPress,2007.
3.S.Lombardo,M.Rapisarda,A.LaMagna,ModelingofstrainedsiliconCMOSdevices,InternationalJournalofHighSpeedElectronicsandSystems13(4),843-862,2003.
4.T.Tanoue,T.Sekigawa,S.Iwamoto,etal.AdvancedstrainengineeringbySiGelocally-strainedMOSFETs.Solid-StateElectronics101,148-155,2015.