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可控无序对高迁移率二维电子系统输运性质的影响的任务书
任务书：可控无序对高迁移率二维电子系统输运性质的影响
背景介绍
高迁移率二维电子系统广泛应用于微电子学中，如量子点晶体管、互联层等。在这些应用中，二维电子系统的输运性质是非常重要的。然而，由于磁性杂质、铺展杂质和位错等缺陷的存在，二维电子系统的输运性质会发生变化，这种现象称之为强本质局域。此外，由于缺陷存在的随机性，缺陷的影响通常是无序的。为了研究缺陷对二维电子系统输运性质的影响和控制缺陷的位置和类型，人们需要找到合适的方法。
任务描述
本次任务的主要目标是研究可控无序对高迁移率二维电子系统输运性质的影响。具体来说，我们要研究以下几个方面：
1.理解二维电子气体的输运性质和磁性杂质、铺展杂质和位错等缺陷对其性质的影响。
2.研究如何生成可控无序。目前，生成无序的方法一般有两种：一种是通过磊晶生长中的工艺变化来引入缺陷，如分子束外延和化学气相沉积；另一种是通过电子束、イオン束或光刻等手段在制造过程中进行定制，如电子束曝光和焦斑曝光。我们将研究不同生成无序的方法，以控制无序的分布和缺陷的类型。
3.通过实验研究可控无序对二维电子系统输运性质的影响，包括电阻率、霍尔系数、霍尔迈斯电导和磁阻大小等。我们将使用低温实验室设备进行实验。
4.发展建模和仿真方法，以理解和预测无序对二维电子系统输运性质的影响。这样可以帮助我们更深入地理解实验结果，以及提高深度和广度。
5.最后，我们将分析可控无序对二维电子系统物理性质的影响，如量子霍尔效应、自旋和谐震荡和自旋相干等。理解这些物理现象的机制和可控无序的影响是我们的研究的最终目标。
任务要求
1.熟悉物理学和电子学的基本知识，特别是熟悉二维电子系统的输运性质。
2.熟悉可控无序生成的方法，如磊晶生长和光刻等。
3.具备实验室技能，包括通过低温实验仪器进行实验的经验和技能。
4.熟练掌握计算机建模和仿真技术。
5.能够写出清晰的实验计划和实验报告，并准确地分析数据。
参考文献
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