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外场及无序杂质对二维介观系统中电子输运性质的影响的开题报告
一、研究背景
随着纳米技术的飞速发展，二维介观系统（2DMS）的研究变得越来越重要。2DMS具有很强的电子输运性质，因此在纳米电子学器件中具有广泛应用前景。然而，2DMS中的电子输运行为受到外场及无序杂质的影响较大，因此需要深入研究这些因素的作用机理。
二、研究目的
本研究的目的是探讨外场及无序杂质对2DMS中电子输运性质的影响，分析其机理，并为相关研究提供理论基础和实验验证依据。
三、研究内容
1.外场对2DMS电子输运性质的影响
外场是指在2DMS中添加了外界电场的情况。外场会影响2DMS电子的定域状态、晶格振动以及能带结构，从而影响电子输运行为。具体研究内容包括：
1）研究外场对2DMS中电子定域状态的影响，如电子局部密度、能量谱等。
2）研究外场对2DMS中晶格振动的影响，如声子振动频率、振幅等。
3）研究外场对2DMS中能带结构的影响，如费米能级、导带和价带宽度等。
4）研究外场对2DMS中电子输运性质的影响，如电阻率、霍尔系数等。
2.无序杂质对2DMS电子输运性质的影响
无序杂质是指在2DMS中存在的原子或分子的杂质，其存在会造成局部的势垒扰动以及电子的散射，从而影响电子输运性质。具体研究内容包括：
1）研究无序杂质对2DMS中电子定域状态的影响，如局部密度、局部能量谱等。
2）研究无序杂质对2DMS中电子散射过程的影响，如平均自由程、散射概率等。
3）研究无序杂质对2DMS中电子输运性质的影响，如电阻率、热导率等。
四、研究方法
本研究将采用材料模拟和密度泛函理论计算的方法，建立2DMS模型，并分析外场及无序杂质对其电子输运性质的影响。具体方法包括：
1.建立2DMS的模型，包括材料的晶体结构、化学组成和晶格参数等。
2.使用密度泛函理论进行计算，分析外场和无序杂质对2DMS中电子的定域状态和输运性质的影响。
3.分析结果，探讨外场及无序杂质对2DMS电子输运性质的影响的机理。
五、预期成果
通过本研究，预期可以得到以下成果：
1.对外场及无序杂质对2DMS电子输运性质的影响进行深入探讨，分析其机理和影响因素。
2.建立2DMS的材料模型和计算方法，并进行模拟计算，为相关实验提供理论基础和实验验证依据。
3.提出相应的理论解释和改善措施，为2DMS的应用提供参考。
六、研究意义
本研究的意义主要有：
1.深入探究外场及无序杂质对2DMS电子输运性质的影响，为相关应用提供理论基础和实验验证依据。
2.建立2DMS的模型和计算方法，为相关领域的研究提供技术支持。
3.推动纳米技术和纳米电子学领域的发展，为相关领域提供技术突破。