一维氧化镓纳米线的制备与应用研究的任务书.docx
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一维氧化镓纳米线的制备与应用研究的任务书.docx
一维氧化镓纳米线的制备与应用研究的任务书任务书一维氧化镓纳米线的制备与应用研究任务背景:纳米技术是当今世界科技领域研究的热点之一。纳米技术研究范畴十分广泛,其中一维纳米材料受到了广泛关注。一维纳米材料指的是在一维(纵向)方向上尺寸在纳米级别的材料,例如纳米线、纳米棒等等。而氧化镓纳米线是一种具有巨大潜力的一维纳米材料。因为它的高电子迁移率、光学特性和化学惰性等特点,被广泛应用于电子器件、传感器、光电器件和生物学等领域。因此,本次任务是为了进一步了解纳米材料的制备方法及其在实际应用中的具体表现,并以一维氧化
一种氧化镓微米线的制备方法.pdf
本发明公开了一种氧化镓微米线的制备方法,涉及化学材料制备技术领域,包括:一、将氧化镓和碳粉混合,研磨,得到混合粉末;二、取步骤一得到的混合粉末放入刚玉舟中,将衬底置于刚玉舟正上方,然后放入洁净的石英管中,将石英管放入水平管式炉的生长区;向石英管中通入保护气,在常压下以恒定的升温速率加热升温到反应温度;保温一定时间,然后自然冷却至室温;在衬底上得到氧化镓微米线。本发明通过化学气相沉积的方法生长超长氧化镓微米线。氧化镓微米线形貌均一,长度可达1cm,可在肉眼下进行手工操作,方便了电极的引入和器件的制备。
一种用于制备氧化镓纳米线的方法.doc
一种用于制备氧化镓纳米线的方法技术领域本发明涉及一种利用MOCVD制备氧化镓纳米线的方法,实现简单有效的氧化镓纳米线,提高其质量。GaN膜质量的蓝宝石图形衬底的设计和制备方法,涉及半导体材料制备领域。背景技术目前GaN薄膜还是生长在异质衬底上,如蓝宝石、碳化硅及硅等。蓝宝石目前是最广泛应用的衬底材料,但是由于其晶格与GaN失配较大,因此在其上生长的GaN薄膜质量较差。为了提高GaN的结晶质量,人们将蓝宝石衬底制备图形化,可以大幅提高GaN的结晶质量。目前,针对图形化衬底已经有各种图形,包括圆锥形、圆台形、
一种氧化镓纳米线及其制备方法和应用.pdf
本发明公开了一种以砷化镓为镓源用CVD法生成氧化镓纳米线及其制备方法和应用,涉及半导体材料技术领域。该制备方法,包括以下步骤:向硅衬底上制备金纳米颗粒;将砷化镓粉体及所述硅衬底相隔置于单开口的耐高温管体内,随后将所述管体置于管式炉中,并将所述管体的开口端朝向所述管式炉的出气口,在真空条件下,通入氢气和惰性气体的混合气体后,进行加热,即在所述硅衬底上制得所述氧化镓纳米线。本发明采用砷化镓为镓源,用单温区管式炉烧制氧化镓纳米线,只需通入一种氢氩混合气,且真空度只需维持在500Pa左右,制备出的氧化镓纳米线表面
氧化镓微米线制备方法、日盲紫外探测器及其制备方法.pdf
本发明提供一种氧化镓微米线制备方法、日盲紫外探测器及其制备方法,其中的氧化镓微米线制备方法包括以下步骤:S1、将β‑Ga