一种用于制备氧化镓纳米线的方法.doc
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一种用于制备氧化镓纳米线的方法.doc
一种用于制备氧化镓纳米线的方法技术领域本发明涉及一种利用MOCVD制备氧化镓纳米线的方法,实现简单有效的氧化镓纳米线,提高其质量。GaN膜质量的蓝宝石图形衬底的设计和制备方法,涉及半导体材料制备领域。背景技术目前GaN薄膜还是生长在异质衬底上,如蓝宝石、碳化硅及硅等。蓝宝石目前是最广泛应用的衬底材料,但是由于其晶格与GaN失配较大,因此在其上生长的GaN薄膜质量较差。为了提高GaN的结晶质量,人们将蓝宝石衬底制备图形化,可以大幅提高GaN的结晶质量。目前,针对图形化衬底已经有各种图形,包括圆锥形、圆台形、
一种氧化镓微米线的制备方法.pdf
本发明公开了一种氧化镓微米线的制备方法,涉及化学材料制备技术领域,包括:一、将氧化镓和碳粉混合,研磨,得到混合粉末;二、取步骤一得到的混合粉末放入刚玉舟中,将衬底置于刚玉舟正上方,然后放入洁净的石英管中,将石英管放入水平管式炉的生长区;向石英管中通入保护气,在常压下以恒定的升温速率加热升温到反应温度;保温一定时间,然后自然冷却至室温;在衬底上得到氧化镓微米线。本发明通过化学气相沉积的方法生长超长氧化镓微米线。氧化镓微米线形貌均一,长度可达1cm,可在肉眼下进行手工操作,方便了电极的引入和器件的制备。
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本发明公开了一种以砷化镓为镓源用CVD法生成氧化镓纳米线及其制备方法和应用,涉及半导体材料技术领域。该制备方法,包括以下步骤:向硅衬底上制备金纳米颗粒;将砷化镓粉体及所述硅衬底相隔置于单开口的耐高温管体内,随后将所述管体置于管式炉中,并将所述管体的开口端朝向所述管式炉的出气口,在真空条件下,通入氢气和惰性气体的混合气体后,进行加热,即在所述硅衬底上制得所述氧化镓纳米线。本发明采用砷化镓为镓源,用单温区管式炉烧制氧化镓纳米线,只需通入一种氢氩混合气,且真空度只需维持在500Pa左右,制备出的氧化镓纳米线表面
氧化镓微米线制备方法、日盲紫外探测器及其制备方法.pdf
本发明提供一种氧化镓微米线制备方法、日盲紫外探测器及其制备方法,其中的氧化镓微米线制备方法包括以下步骤:S1、将β‑Ga
一种用于导模法生长氧化镓晶体的监控系统及氧化镓晶体制备方法.pdf
本发明公开一种用于导模法生长氧化镓晶体的监控系统及氧化镓晶体制备方法,其中,所述监控系统包括设置有观察窗的晶体生长炉以及籽晶杆,所述籽晶杆的一端插入到所述晶体生长炉内,所述籽晶杆的另一端连接有升降装置,所述籽晶杆靠近所述升降装置的一侧上还设置有用于实时获取氧化镓晶体重量的压力传感器,所述观察窗外侧设置有红外摄像机,所述压力传感器与所述红外摄像机均与外接计算机电连接。本实施例提供的监控系统可以及时识别氧化镓晶体生长过程中出现的过热或者过冷的现象,并且第一时间调节发热体的加热功率,有效降低由于过热或者过冷导致