第七章 MOS存储器.ppt
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第七章MOS存储器§7-1存储器的结构思考题1.存储器一般由哪几部分组成?2.设计译码电路时应注意什么问题?3.多级译码电路有什么优点??7.1.1存储器的结构图7.1.2存储体7.1.3地址译码器7.1.4行地址译码器1.基本原理7.1.4行地址译码器2.多级译码技术7.1.4行地址译码器3.地址同步控制7.1.4行地址译码器4.电路优化设计7.1.5列地址译码器1.基本原理7.1.5列地址译码器2.开关树的设计7.1.6读写控制及输入输出电路§7-2MaskROM思考题1.Mask
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MOS存储器2.不挥发性读写存储器NVRWM(non-volatileread-writememory)习惯称为可擦除型ROM.(1)可擦除型EPROM(erasablePROM).紫外光擦除,一次性全部擦除.(2)电可擦除EEPROM(electricallyerasablePROM).浮栅隧道结构,可逐字擦写,速度快,不需从设备上取出.价格较贵.(3)闪烁型复栅结构,比EEPROM简单,通常用作可变信息的存储.3.随机存取存储器RAM(randomaccessmemory)挥发性的.(1)静态SRAM
《MOS存储器》PPT课件.ppt
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静态MOS存储器任务道理.doc
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基于MoS2的阻变存储器工作机理研究的任务书.docx
基于MoS2的阻变存储器工作机理研究的任务书任务书任务名称:基于MoS2的阻变存储器工作机理研究任务背景:随着科技不断发展,信息处理技术也不断提高。阻变存储器是一种重要的信息存储器件,被广泛应用于电子和计算机等领域。传统的阻变存储器主要基于硅材料,但是其缺点是功耗较大,容易受到退化和热噪声等影响,不利于其商业化应用。因此,我们需要寻找更好的阻变存储器材料,以提高存储器的性能,满足现代信息技术的需求。MoS2是一种很有潜力的材料,可用于阻变存储器。MoS2的晶体结构稳定,具有较强的机械强度和热稳定性,且具有