ZnO纳米阵列的制备、改性及性能研究的任务书.docx

ZnO纳米阵列的制备、改性及性能研究的任务书
任务书
一、题目
ZnO纳米阵列的制备、改性及性能研究。
二、任务背景
氧化锌（ZnO）是一种重要的半导体材料，在电子、光电、光学、磁学、生物学等领域有广泛的应用。其中，ZnO纳米阵列作为一种优异的纳米结构，具有强烈的荷载体积效应、大比表面积、良好的光电性能等优异特性，在光学成像、光致变色、气敏、光电导等领域应用广泛。因此，对ZnO纳米阵列的制备、表面改性及性能研究具有重要意义。
三、任务目标
1.采用化学气相沉积法、水热法等方法制备ZnO纳米阵列，探究制备条件和工艺对纳米阵列形貌、结晶度等影响。
2.对ZnO纳米阵列进行表面改性，包括单分子膜修饰、以及多肽和DNA修饰等方法，并对表面改性后的纳米阵列转化行为和传输性质进行研究。
3.利用纳米压印法等工艺，对ZnO纳米阵列进行局域探测和局域调控的研究，并综合分析探测和调控行为对ZnO纳米阵列光电性能的影响。
4.通过各种光电测试手段，对表面改性的ZnO纳米阵列光学、荧光、光电传输等性能进行分析与评估。
四、任务内容
1.搜集ZnO纳米阵列制备的相关文献，探究不同制备方法对纳米阵列的形貌、结晶度等影响，建立纳米阵列制备的实验方法。
2.利用表面修饰技术，对ZnO纳米阵列表面进行改性，并分析修饰后表面的性质变化、电化学性质和电子传输效应等。
3.利用纳米压印法等方法对ZnO纳米阵列进行局域探测、局域调控。采用AFM、STM等手段对纳米阵列表面形貌及局域探测和调控效应进行观测与分析。
4.对ZnO纳米阵列的光电性能进行分析和评估，包括荧光性质、光学成像性能、光电传输效应等。采用各种光电测试手段测量样品的光电特性，并进行分析与评估。
五、实验计划
1.制备ZnO纳米阵列的工艺研究：3个月。
2.表面修饰实验：2个月。
3.纳米压印法探测和调控实验：3个月。
4.光电性能测试和分析：2个月。
五、参考文献
1.BaiS,QianY,WuY,WangD,GaoY,GuoX,etal.Interfaceengineeringofsemiconductors:towardshighjunctionintegrityforbetteroptoelectronicdevices.ChemSocRev.2016;45(16):4459-97.
2.WeiA,WangY,LongH,YinH,TangL,SunZ,etal.Electrochemically-ReactiveandStabilizingNi₂PNanocrystalModifiedScissioningInterfacebetweenZnOnanowiresandtheirConductiveBufferlayerforHigh-performanceAdvancedSolarCells.ACSNano.2019.
3.QuW,SunB,LiZ,ZhouF,FanHJ,SunXW.ExcellentField-EmissionPropertiesofWell-OrderedZnO:IHierarchicalNanostructuresFabricatedonFlexiblePlasticSubstrates.AdvMater.2015;27(2):334-40.
4.LiuY,WangCY,ZhengNN,SunXY,FuYQ.HighlyStretchableandTransparentSupercapacitorbyAgNanowires-ZnONanoflowersHybridElectrodesonDye-TreatedCellophanePaperSubstrate.ACSApplMaterInterfaces.2019.
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