ZnO纳米线阵列的制备与光学性能的研究的开题报告.docx

Si及Si/ZnO纳米线阵列的制备与光学性能的研究的开题报告
摘要：
本论文研究了Si及Si/ZnO纳米线阵列的制备与光学性能。通过化学气相沉积法制备了Si及Si/ZnO纳米线阵列，并进行了表征。利用紫外可见光谱测试了样品的吸收光谱，并利用荧光光谱测试了样品的发射光谱。研究结果表明，Si及Si/ZnO纳米线阵列具有优异的光学性能，并可作为光学传感器等方面的应用。
关键词：Si纳米线，ZnO纳米线，化学气相沉积法，光学性能
一、研究背景
随着现代科技的不断发展，纳米材料逐渐引起越来越多的关注，人们对其性质及应用也展开了深入的研究。Si作为一种重要的半导体材料，因其在微电子学中的广泛应用而受到了广泛的关注。而ZnO因其优异的物理化学性质，在生物医学、光电器件等领域也有着广泛的应用前景。
Si纳米线由于其具有的优异的光学、电学性能和较大的比表面积，应用价值十分广泛。而ZnO纳米线由于其宽直接带隙和高透明性，也具有潜在的应用价值。而Si纳米线和ZnO纳米线的复合材料，在柔性显示、光学传感器等方面的应用也有着广阔的前景。
二、研究内容和意义
本论文将主要研究Si及Si/ZnO纳米线阵列的制备方法并对其进行表征，探究其在光学性能方面的应用。为了制备纳米线阵列，将采用化学气相沉积法，以SiCl4和Zn(OAc)2为原料，在高温条件下通过气相反应生成Si及Si/ZnO纳米线阵列。通过SEM、TEM等手段对样品进行表征。利用紫外可见光谱测试样品的吸收光谱，并利用荧光光谱测试样品的发射光谱，探究其在光电器件中的应用价值。
本论文的研究意义在于：
1.探索了一种新型的纳米线阵列的制备方法，建立了Si及Si/ZnO纳米线阵列在化学气相沉积法下的合成过程，为未来纳米复合材料的制备提供思路。
2.通过对Si及Si/ZnO纳米线阵列的表征和光学性能测试，探索了其在光电器件中的应用潜力，为制造高性能光电器件提供了理论基础。
三、研究方法
1.利用化学气相沉积法制备Si及Si/ZnO纳米线阵列，并利用SEM、TEM等手段进行表征。
2.利用紫外可见光谱测试样品的吸收光谱，并利用荧光光谱测试样品的发射光谱，探究其在光电器件中的应用价值。
四、论文进度安排
1.第一阶段（2021年10月至2022年1月）：文献查阅、研究方法的确定。
2.第二阶段（2022年1月至2022年4月）：样品制备和表征工作。
3.第三阶段（2022年4月至2022年7月）：样品光学性能测试，并对测试结果进行分析。
4.第四阶段（2022年7月至2022年9月）：论文撰写和修改。
五、预期研究结果
本研究计划可以得到Si及Si/ZnO纳米线阵列的制备方法，发现其在光学性能方面具有优异的表现，并探讨其在制造高性能光电器件方面的应用价值。这将为未来纳米复合材料的制备和光学传感器等领域的研究提供了思路和参考。