LED驱动芯片-74HC595中文资料.pdf

Etek
Microelectronics74HC595

8位带输出寄存的移位寄存器

概述

74HC595是硅CMOS工艺集成的高速移位寄存器。是一种高抗干扰能力、低功耗的标准CMOS集成
电路，具有15个LS－TTL门的驱动能力。该电路是带8个D触发存储器的8位串行输入，并行输出的移
位寄存器。输出寄存器具有8位的3态输出。移位寄存器和输出寄存器的时钟分开且它们都是上升沿触发，
移位寄存器有清零信号控制。提供串行输入、串行输出信号引脚。如果两个时钟接在一起，移位寄存器状
态总是比存储寄存器快一个时钟。

功能特点

低静态电流：80μA移位寄存器可清空
低输入电流：1μA工作频率高：最低30MHz(5V)
8位串入并出存储移位寄存器封装形式：SOP16(74HC595M)、
工作电压范围宽：2V～6VTSSOP16(74HC595V)

管脚排列图

QB116VCC

QC2715QA
4

QD3H14SER
QE4C13G
5

QF5912RCK
5
QG611SCK
QH710SCLR
GND89Q'H

SOP16(74HC595M)、TSSOP16(74HC595V)

管脚说明

序号管脚I/O描述
15，1～7QA～QHO8位三态输出管脚
8，16GND，VCC－正负电源端
9Q’HO串行输出管脚
10SCLRI移位寄存器清零管脚
11SCKI移位寄存器时钟管脚
12RCKI输出寄存器时钟管脚
13GI输出状态控制管脚
14SERI数据输入管脚

Rev2.12006-09-13
1/7
74HC595

功能说明

RCKSCKSCLRG功能说明
XXXHQA至QH=高阻态
XXLL移位寄存器清零，Q’H=0

X↑HL移位寄存，QN=Qn-1，Q0=SER
↑XHL从移位寄存器输出到输出寄存器

逻辑图表

13
G
12
RCK
1415
SERDQDQQA

R

1
DQDQQB

R

2
DQDQQC

R

3
DQDQQD

R
PARALLEL
DATAOUTPUTS
4
DQDQQE

R

5
DQDQQF

R

6
DQDQQG

R

7
DQDQQH
11
SCK
R
109SERIALDATA
SCLRQ'
HOUTPUT

Rev2.12006-09-13
2/7
74HC595

时序图

CLK
SER

SCLR

RCK
G
QA

QB
QC
QD
QE

QF

QG
QH

Q'H

注：是在高阻态模式下的输出

极限参数

特性符号范围单位

工作电压VCC-0.5～7.0V

DC输入电压VIN-1.5～VCC+1.5V

DC输出电压VOUT-0.5～VCC+0.5V

DC输出电流IOUT±35mA

DCVCC或GND电流ICC±70mA

功耗PD600mW

存储温度TSTG-65～150℃

推荐工作条件

范围
特性符号条件单位
最小值最大值

电源电压VCC26V

DC输入或输出电压VIN，VOUT0VCCV

VCC=2.0V1000

输入上升/下降时间tr，tfVCC=4.5V500ns

VCC=6.0V400

工作温度TA-40+85℃

Rev2.12006-09-13
3/7
74HC595

电参数
DC特性

TA=25℃TA=25to85℃TA=-55to125℃单
符号特性条件VCC
典型值极限值位
2V1.51.51.5
输入最小高
VIH4.5V3.153.153.15V
电平电压
6V4.24.24.2
2V0.50.50.5
输入最大低
VIL4.5V1.351.351.35V
电平电压
6V1.81.81.8
2V2.01.91.91.9
输出最小高VIN=VIHorVIL
4.5V4.54.44.44.4V
电平电压︱IOUT︱≤20μA
6V65.95.95.9

VIN=VIHorVIL4.5V4.23.983.843.7

VOHQH︱IOUT︱≤4.0mAV
6V5.25.485.345.2
︱IOUT︱≤5.2mA
VIN=VIHorVIL4.5V4.23.983.843.7
QA至QH︱IOUT︱≤6.0mAV

︱IOUT︱≤7.8mA6.0V5.75.485.345.2
2V00.10.10.1
输出最大低VIN=VIHorVIL
4.5V00.10.10.1V
电平电压︱IOUT︱≤20μA
6V00.10.10.1

VIN=VIHorVIL4.5V0.20.260.330.4
VOLQH︱IOUT︱≤4.0mAV
6V0.20.260.330.4
︱IOUT︱≤5.2mA
VIN=VIHorVIL4.5V0.20.260.330.4
QA至QH︱