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CONSONANCE
开关模式LED驱动芯片
CN5616
概述:特点:
CN5616是一款高效率开关模式LED驱动控制芯工作电压范围：2.7V到6V
片，它能够利用5伏特到450伏特之间的输入电压LED闪烁控制功能
驱动多颗高亮度LED。CN5616以高达300KHz的频可以驱动的LED数量：一颗到数百颗
率控制片外N型场效应晶体管，使得流经LED的电可设置的LED电流高达1.5安培
流为恒定电流，从而保持恒定亮度。流经LED的工作温度范围：
电流可以通过外部电阻设置，可设置的范围为30－40℃到85℃
毫安到1.5安培。其他功能包括LED闪烁控制等。采用8管脚小外形封装(SOP8)
CN5616采用8管脚小外形封装(SOP8)。产品无铅并满足ROHS标准

应用:
管脚排列
LED照明
DC-DC或AC-DCLED驱动
平板显示器背光VDD18MODE
RGB背光驱动
GND27DRV
CN5616
CS36BF

NC45NC

CONSONANCE

典型应用电路

输入电压5V到450V

R3R1

R6
Q1Q2
L1

LEDD2

R4
R2
LED串
LED

1

3VDD
CS7
C1DRVM1
D110uFNMOSFET

CN5616
68
BFMODE

C2
GND
2

图1典型应用电路
其中：
L1为电感
流经电阻R6的电流既要满足稳压二极管击穿的需要，也要为CN5616提供约0.5毫安的工作电流。
C1是滤波电容，电容值为10uF
电容C2用来控制闪烁周期，闪烁周期＝2.53×10+6×C(秒)
D1是稳压二极管，其稳压电压的选择要确保能够驱动片外场效应晶体管M1。对高压场效应晶体
管，击穿电压应该在5.8V左右。
D2为整流二极管，采用肖特基二极管可以提高转换效率。对于输入电压大于200V的应用，可以

选择FR106/FR107等型号。
Q1和Q2是通用PNP三极管，其型号可根据集电极-发射极需承受的电压来选择。对于输入电压
大于200V的应用，可以选择A94。
M1是N型场效应晶体管，其型号的选择主要根据漏-源承受的最高电压，导通电阻和开启电压。
对于高于200V的输入电压，可以选择IRF840等型号。
R1用来检测LED电流。
R2用来设置Q2的集电极电流，该电流可设置在100微安左右。
R3设置三极管Q1的发射极电流，使得该电流约等于Q2的发射极电流。
R4用来调整流经LED的平均电流。

设计步骤：
下面是设计图1所示电路的各个参数的步骤：
(1)选择电感

电感L1的值应该满足下面的公式：
－6
L≧10×(VIN－VLED)／(0.5×ILED)
其中：
L是电感L1的电感值，其单位为亨利(H)
VIN是输入电压，单位为伏特(V)

VLED是LED串的正向电压降，单位为伏特(V)
ILED是LED的平均电流，单位是安(A)
(2)选择电阻R1两端的电压VR1和R1的电阻值
如果电阻R1两端的电压VR1太大，则会降低效率，但是LED电流精度比较高；反之，电阻R1
两端的电压太小，则会降低LED电流精度，但是效率比较高。一般情况下，选择电阻R1两端
的电压在0.35V到0.5V是比较好的平衡。R1的电阻值由下式决定：

R1＝VR1／ILED
(3)选择电阻R2

R2用来设置Q2的集电极电流IQ2，一般选择IQ2为100微安就可以，所以：
R2＝(VIN－VR1－0.7)／IQ2
(4)选择电阻R3
R3的电阻值应使Q1发射极电流等于Q2的发射极电流。

Q1发射极电流：IQ1＝VR1／R3＝IQ2
所以，R3＝VR1／IQ2
(5)选择电阻R4

R4＝(1.01×R3)／VR1

REV1.03

管脚功能描述

序号名称功能描述
1VDD电源正极输入。VDD是内部电路的电源输入端。
2GND地
LED电流检测输入端。LED电流经高端电流检测电阻和电流镜映射后形成
3CS对地(GND)的电压信号，此电压信号的高低表示LED电流的大小。此电压
信号被送到CS输入端对LED电流进行调制。
4NC没有连接
5NC没有连接
LED闪烁周期控制输入端。此管脚外接电容决定了闪烁周期。当不需要
6BF
LED闪烁功能时，将此管脚接地。
7DRV栅极驱动输出.此管脚可以直接驱动片外场效应晶体管的栅极。
工作模式选择输入端.。当此管脚的电压低于0.3V（典型值）时，允许LED
闪烁，闪烁周期由第6管脚BF端的电容决定；当此管脚的电压大于1.5V时，
8MODE禁止LED闪烁功能。
注意：MODE管脚的电压不能在0.3V到1.5V之间，否则将导致不确定的工
作状态。

极限参数
MOD