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非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管在漏脉冲应力下的可靠性研究的开题报告
摘要：
非晶铟镓锌氧化物（a-IGZO）薄膜晶体管是一种新型的半导体材料，已经成为液晶显示器（LCD）等领域的重要器件之一。然而，在实际应用中，a-IGZO薄膜晶体管会遭受漏脉冲的影响，进而导致器件性能的退化，甚至失效，对其可靠性产生不良影响。因此，本文将探究a-IGZO薄膜晶体管在漏脉冲应力下的可靠性问题，并提出相应的解决方法，以提高a-IGZO薄膜晶体管在实际应用中的可靠性水平。
关键词：a-IGZO薄膜晶体管；漏脉冲；可靠性
一、研究背景
随着液晶显示器等大面积平面显示器的广泛应用，对薄膜晶体管的性能提出了更高的要求。a-IGZO薄膜晶体管具有优异的电学性能和光学性能，已成为平面显示器中的重要驱动器件。然而，在实际应用中，a-IGZO薄膜晶体管会遭受漏脉冲的影响，进而导致器件性能的退化，甚至失效。因此，对a-IGZO薄膜晶体管在漏脉冲应力下的可靠性进行研究，具有重要的现实意义。
二、研究内容和意义
1.研究内容
(1)分析漏脉冲对a-IGZO薄膜晶体管性能的影响；
(2)研究不同漏脉冲应力下a-IGZO薄膜晶体管的可靠性；
(3)探究提高a-IGZO薄膜晶体管抗漏脉冲能力的方法；
(4)总结和分析研究结果。
2.研究意义
(1)深入了解a-IGZO薄膜晶体管在漏脉冲应力下的可靠性问题，为其在实际应用中提供有效的保障；
(2)提高a-IGZO薄膜晶体管的可靠性水平，进一步促进平面显示器等领域的发展；
(3)为研制高品质、高性能的a-IGZO薄膜晶体管提供指导和支持。
三、研究方法和技术路线
1.研究方法
(1)制备a-IGZO薄膜晶体管样品，并对其进行表征；
(2)设计漏脉冲应力实验，并对a-IGZO薄膜晶体管样品进行漏脉冲应力实验；
(3)分析实验结果并作出性能退化曲线、概率密度函数等图表，以评估a-IGZO薄膜晶体管可靠性；
(4)结合实验结果，探究a-IGZO薄膜晶体管抗漏脉冲能力的提高方法。
2.技术路线
(1)制备a-IGZO薄膜晶体管样品：采用磁控溅射和电子束光刻技术制备a-IGZO薄膜晶体管样品，采用UV-Vis和XPS等表征手段对其进行表征分析。
(2)漏脉冲应力实验：采用数字存储示波器、程序控制数字多路开关等测试设备，对a-IGZO薄膜晶体管进行漏脉冲应力实验。
(3)性能评估：根据实验结果，绘制性能退化曲线、概率密度函数等图表，评估a-IGZO薄膜晶体管的可靠性水平。
(4)抗漏脉冲能力提高：结合实验结果，探究a-IGZO薄膜晶体管抗漏脉冲能力的提高方法，如采用弱干扰应力加工等方法，提高其抗漏脉冲的能力。
四、预期成果
1.明确漏脉冲对a-IGZO薄膜晶体管性能的影响规律；
2.评估不同漏脉冲应力下a-IGZO薄膜晶体管的可靠性水平；
3.提出提高a-IGZO薄膜晶体管抗漏脉冲能力的方法；
4.为a-IGZO薄膜晶体管在实际应用中提供可靠性保障的理论依据与实验基础。
五、研究进度和安排
研究进度：
2021年6月-9月：literaturereview，理论分析和实验设计；
2021年10月-2022年6月：实验制备和漏脉冲应力实验；性能评估和结果分析；提高a-IGZO薄膜晶体管抗漏脉冲能力的探究。
安排：
2021年6月-8月：文献综述及理论分析；
2021年9月-10月：实验样品制备和基本实验；
2021年11月-2022年2月：加强实验探究；
2022年3月-5月：结果分析和检验；
2022年6月：完成毕业论文。
六、研究所需预算
本研究所需预算主要用于实验材料与设备购置、劳务费与交通费用等方面，总预算为15万元左右。其中：
1.实验材料与设备购置：5万元左右，用于a-IGZO薄膜晶体管制备、漏脉冲应力实验器件购置等方面；
2.劳务费与交通费用：10万元左右，用于参与研究的学生、指导教师任课授课、讲座切换和出差等方面。
七、结语
本文重点研究a-IGZO薄膜晶体管在漏脉冲应力下的可靠性问题，并探究提高其抗漏脉冲能力的方法。研究结果将为a-IGZO薄膜晶体管在实际应用中提供可靠性保障的理论依据与实验基础，并为a-IGZO薄膜晶体管的研制和应用提供积极意义的指导和支持。