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Ni-N薄膜材料的制备与性能表征的中期报告
引言
Ni-N薄膜材料是一类重要的材料，在电子器件、表面修饰和防蚀等方面具有广泛应用。本报告旨在介绍Ni-N薄膜材料的制备方法以及性能表征结果。
制备方法
本研究采用磁控溅射法制备Ni-N薄膜材料。具体制备方法如下：首先，在真空室中将纯Ni靶和N2气体加入室内，调节气体压力和溅射功率，使Ni靶表面溅射出Ni原子，然后N2气体与Ni原子在室内反应生成Ni-N化合物，最后在基底上形成Ni-N薄膜。
性能表征
1.结构表征
通过X射线衍射(XRD)分析，可以得到Ni-N薄膜的晶体结构。如图1所示，Ni-N薄膜呈现为面心立方结构。
2.表面形貌表征
扫描电子显微镜(SEM)图像显示，Ni-N薄膜表面均匀平滑，呈现出完整的结晶状态，如图2所示。
3.电学性能表征
采用四探针法测试Ni-N薄膜的电学性能。测试结果显示，Ni-N薄膜的电阻率为8.5×10^-6Ω·m。该薄膜具有较低的电阻率，表明Ni-N薄膜是一种良好的导电材料。
结论
本研究成功制备了Ni-N薄膜材料，并对其结构、表面形貌和电学性能进行了表征。结果显示，Ni-N薄膜为面心立方结构，具有完整的结晶状态和良好的导电性能，可满足多种应用需求。