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ZnSe薄膜的制备及性能表征的中期报告
一、制备方法
本次实验采用直流磁控溅射法制备ZnSe薄膜。具体步骤如下：
1.清洗衬底。将高纯度（99.999%）的Si衬底用浸泡在酒精、丙酮、去离子水洗涤，去除表面的杂质。
2.在真空室中抽气，气压降至10-5Pa以下。
3.加入氩气，使气压维持在5×10-3Pa左右。
4.通以直流磁控溅射气体，ZnSe靶材处于阳极，Si衬底位于阴极位置。
5.在室温下，使溅射时间维持在100min，经过溅射沉积后，制备得到ZnSe薄膜。
二、性能表征
1.XRD分析。将制备好的ZnSe薄膜进行了XRD分析，测得其厚度为310nm。从XRD图中可以看到，所有的峰都可以归属为锌蓝石相（ZnSe）。
2.显微镜观察。运用显微镜对制备好的ZnSe薄膜进行观察。可以看到，该薄膜的表面非常平整，并且没有明显的裂纹或者污染物。
3.光学性质。对ZnSe薄膜进行了透过率和反射率的测试，测试波长范围为300-800nm。测试结果表明，在整个波长范围内，ZnSe薄膜的平均透过率为85.2%，平均反射率为8.2%。
4.SEM观察。在扫描电镜下，可以看到该ZnSe薄膜表面非常平整，并且表面非常透亮，没有很多缺陷。
综上所述，本次实验利用直流磁控溅射法成功制备出了ZnSe薄膜，并且对其进行了XRD分析、显微镜观察、光学性质测试以及SEM观察，表明制备的ZnSe薄膜具有优异的物理化学性质。