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晶体硅中铜沉淀和镍沉淀的研究的中期报告
中期报告：晶体硅中铜沉淀和镍沉淀的研究
概述：
本研究致力于研究晶体硅中铜和镍的沉淀行为以及其对硅片质量的影响。本次报告为中期报告，主要介绍研究的进展和实验结果。
实验方法：
首先，制备晶体硅样品。然后，将样品分成两组，分别进行铜沉淀和镍沉淀实验。具体实验过程如下：
铜沉淀实验：
1.制备锥形瓶，加入10mLH2O2和10mLNH4OH。
2.制备含有1ppmCu2+的溶液，然后将样品溶于HNO3中，使其得到完全的溶解。
3.将含铜的溶液连接到锥形瓶中。
4.将样品放置在铜沉淀试剂中反应24小时。
镍沉淀实验：
1.制备锥形瓶，加入10mLNaOH和10mLNH4OH。
2.制备含有1ppmNi2+的溶液，然后将样品溶于HNO3中，使其得到完全的溶解。
3.将含镍的溶液连接到锥形瓶中。
4.将样品放置在锌和镍沉淀试剂中反应24小时。
结果展示：
实验结果显示，随着铜或镍沉淀的增加，晶体硅表面出现了大量的缺陷和污染。此外，铜沉淀实验后的硅片表明，铜沉淀会导致硅表面出现氧化铜等氧化物。而镍沉淀实验后的硅片表明，镍沉淀会导致硅表面出现金属镍和氧化物。这些缺陷和污染可能会导致晶体硅的杂质增加，从而影响硅片的质量。
总结:
本研究从铜和镍沉淀的角度，研究了晶体硅中杂质的污染和缺陷。实验结果表明，铜和镍沉淀都能导致晶体硅的污染和缺陷。在后续的研究中，我们将进一步探索如何减少这些缺陷和污染。