电工电子技术半导体分立器件及其基本电路.ppt

21十月2024半导体的导电具有不同于其它物质的特点。1.本征半导体硅和锗的共价键结构半导体的导电机理3.光敏性、热敏性，载流子的浓度越高。本征半导体的导电能力越强，这是半导体的一大特点。2.杂质半导体掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式，称为电子半导体或N型半导体。掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或P型半导体。杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流。但由于数量的关系，起导电作用的主要是多子。近似认为多子与杂质浓度相等。PN结1.1.2PN结及其单向导电性二.PN结的单向导电性PN结外加上正向电压(正向偏置)PN结外加上反向电压(反向偏置)PN结具有单向导电性定义一、基本结构二、伏安特性三、主要参数指管子不被反向击穿所允许外加的电压。一般手册上给出的UDRM约为击穿电压的一半。
4.最大反向电流IRM：四.二极管的模型2.恒压降模型.二极管在正向导通时，其管压降为恒定值，硅管的管压降约为0.6-0.7V，锗管的管压降约为0.2-0.3V。二极管电路分析举例电路如图，求：UABui>8V，二极管导通，可看作短路uo=8V
ui<8V，二极管截止，可看作开路uo=ui（4）稳定电流IZ稳压二极管的稳压原理:负载电阻。令输入电压降到下限时，流过稳压管的电流为Izmin。2.发光二极管3.光电二极管小结：B1.4.2电流分配和放大原理2.各电极电流关系及电流放大作用小结：发射极是输入回路、输出回路的公共端输入特性2.输出特性1.4.4主要参数例：在UCE=6V时，在Q1点IB=40A,IC=1.5mA；
在Q2点IB=60A,IC=2.3mA。求：电流放大系数2.集-基极反向截止(饱和)电流ICBO4.集电极最大允许电流ICM5.复合三极管光电三极管和光电耦合器3、元件选择要使信号不失真地放大。一、基本放大电路的组成一、基本放大电路的组成一、基本放大电路的组成放大电路的分析二、共射放大电路的静态分析IC对交流输入信号为零，只有直流信号（VCC）（2）根据直流通道估算UCE、IC例：用估算法计算静态工作点。(二)用图解法确定静态值(二)用图解法确定静态值结论：结论：符号规定小结：静态分析：(一)三极管的微变等效电路(小信号模型分析法)rbe的量级从几百欧到几千欧。(2)输出回路ube输入电阻的定义：所以：动态分析图解法若Q设置过高，若Q设置过低，Q点上移饱和失真:分压式(射极)偏置电路1.4.2分压式(射极)偏置电路Q点稳定的过程1.4.2分压式(射极)偏置电路2.静态工作点的计算3.动态分析RB1例题：（2）求电压放大倍数2.3.输入电阻大，输出电阻小。耦合方式：直接耦合；阻容耦合；变压器耦合；光电耦合。RB1