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Ⅲ族氮化物半导体及其异质结构的自旋轨道耦合和光电流效应的中期报告
Ⅲ族氮化物半导体具有广泛的应用前景，尤其是在红外光电子器件、激光器、LED、高频电子器件等方面具有良好的应用前景。然而，其电子物理学性质的研究仍然存在不少挑战，其中自旋轨道耦合和光电流效应则是最为基础和重要的问题之一。
自旋轨道耦合是指由于自旋和轨道运动的相互作用而导致的电子能级结构的改变。在Ⅲ族氮化物半导体中，由于N原子的轨道电子和III族金属原子的p轨道电子的相互作用，会导致自旋轨道耦合，从而引起复杂的自旋能级结构。这些自旋能级结构对于半导体物理学和器件性能的理解至关重要，因此对于Ⅲ族氮化物半导体的自旋轨道耦合进行深入研究具有重要意义。
光电流效应是指材料在光照下生成电荷载流子的现象。在氮化物半导体中，由于其大能隙和高饱和漂移速度，因此具有较高的光电响应速度和较短的载流子寿命，是制备高速光电器件的理想材料。然而，光电流效应的研究仍然存在许多问题需要解决，例如载流子的寿命和动态特性等。
针对上述问题，本中期报告提出以下研究计划：
1.通过相应的实验手段，深入研究氮化物半导体中的自旋轨道耦合机制，探究其对半导体物理学和器件性能的影响；
2.使用胶体量子点等新型半导体材料，研究其在光电流效应方面的特性，探究其电荷载流子的寿命和动态特性；
3.开展系列实验，验证研究成果的科学性和实用性。
通过上述研究计划，将对氮化物半导体中的自旋轨道耦合和光电流效应等问题进行解决和探究，为该材料在电子学和光电子学领域的应用提供新的理论和技术支撑，对于我国材料科学和技术的发展也具有重要的意义。