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InN光电性质和自旋轨道耦合研究及Ⅲ族氮化物面内光学各异性调控的中期报告
该研究是关于InN的光电性质和自旋轨道耦合的研究，同时也探讨了如何调控Ⅲ族氮化物面内光学各异性。以下是该研究的中期报告：
研究背景：
InN是一种重要的Ⅲ族氮化物，具有很多优异的性质，如高的电子迁移率、宽的能带宽度、很强的光电效应等。而且，InN是一种双异性材料，其自旋轨道耦合比其他Ⅲ族氮化物大很多，因此在研究InN的光电性质时也需要考虑自旋轨道耦合效应。
同时，近年来人们对于如何调控Ⅲ族氮化物面内光学各异性也非常感兴趣。因为面内光学各异性对于一些应用（如光电转换、光电器件等）而言具有很重要的意义。
研究目的：
本研究的主要目的是探讨InN的光电性质及其自旋轨道耦合，并且尝试调控Ⅲ族氮化物面内光学各异性。具体研究内容如下：
1.研究InN的晶体结构和光学性质。
2.研究InN的光电性质及其自旋轨道耦合。
3.探讨如何调控Ⅲ族氮化物面内光学各异性。
研究方法：
本研究采用以下方法：
1.采用密度泛函理论（DFT）和时间依赖密度泛函理论（TD-DFT）计算InN的电子结构和光学性质。
2.采用自旋波理论计算InN的自旋轨道耦合强度。
3.通过表面修饰或在InN表面附着其他物质来调控InN的面内光学各异性。
预期成果：
1.对InN的光电性质和自旋轨道耦合有更深入的了解。
2.提供调控Ⅲ族氮化物面内光学各异性的方法。
3.为在光电器件等领域的应用提供基础研究支撑。
以上是该研究的中期报告。