电感耦合等离子体增强化学气相沉积法制备多晶硅薄膜的中期报告.docx

电感耦合等离子体增强化学气相沉积法制备多晶硅薄膜的中期报告
摘要
本中期报告介绍了一种电感耦合等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）制备多晶硅薄膜的实验方法和结果。实验结果表明，采用PECVD方法可以制备出优质的多晶硅薄膜，同时可以实现大面积均匀沉积。通过对实验过程中不同参数对薄膜质量的影响进行分析，得出了较为合理的PECVD实验参数范围。本研究为实现高效、低成本的多晶硅薄膜制备提供了重要的实验基础和技术支撑。
关键词：电感耦合等离子体；PECVD；多晶硅薄膜；沉积
一、实验方法
1.实验设备：PECVD真空沉积系统；
2.实验材料：硅源、氢气等；
3.实验过程：
（1）清洗衬底：将衬底置于清洗溶液中清洗，再用去离子水清洗；
（2）真空抽气：将PECVD系统中的气体抽出，将其升压至一定值（5*10-2~3*10-1Pa）后进入氢气进行保压；
（3）预热衬底：将衬底加热至一定温度（580~620℃）进行预热；
（4）硅源沉积：将硅源悬挂于PECVD系统中央，加入氢气，控制反应温度（550~620℃）沉积硅薄膜；
（5）后处理：将沉积好的硅薄膜进行氢气退火处理等。
二、实验结果
实验结果表明，采用PECVD方法制备的多晶硅薄膜具有良好的光学、结构和电学性质，薄膜厚度可控，形貌均匀、致密。通过对不同实验参数（如反应温度、氢气流量、硅源悬挂高度等）的控制，可以调节薄膜性质和沉积速率。此外，对PECVD反应装置的优化也可以进一步提高多晶硅薄膜的质量和沉积速率。
三、结论和展望
本中期报告实验结果表明，采用PECVD方法可以制备出优质的多晶硅薄膜，具有良好的应用前景。通过对实验参数和反应装置进行优化，可以进一步提高多晶硅薄膜的质量和沉积速率。未来还可以进一步研究多晶硅薄膜在太阳能电池等领域的应用。