等离子体化学气相沉积制备薄膜技术.doc

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毕业设计（论文）

（2012届）

题目等离子体化学气相沉积制备薄膜技术
二级学院新能源科学与工程学院
专业材料工程
班级09材料工程班
学号0903010010
学生姓名程绍伟
指导教师詹长军老师

目录

TOC\o"1-3"\h\z\uHYPERLINK\l"_Toc324968077"摘要 PAGEREF_Toc324968077\hI
HYPERLINK\l"_Toc324968078"Abstract PAGEREF_Toc324968078\hII
HYPERLINK\l"_Toc324968079"第1章等离子体化学气相沉积的技术和基础 PAGEREF_Toc324968079\h1
HYPERLINK\l"_Toc324968080"1.1等离子的概念 PAGEREF_Toc324968080\h1
HYPERLINK\l"_Toc324968081"1.2等离子体的特性参数描述 PAGEREF_Toc324968081\h2
HYPERLINK\l"_Toc324968082"1.3等离子体的产生方法和原理 PAGEREF_Toc324968082\h3
HYPERLINK\l"_Toc324968083"第2章等离子体化学气相沉积制备薄膜的过程 PAGEREF_Toc324968083\h4
HYPERLINK\l"_Toc324968084"2.1等离子体增强化学气相沉积的过程 PAGEREF_Toc324968084\h4
HYPERLINK\l"_Toc324968085"2.1.1等离子体内的化学反应 PAGEREF_Toc324968085\h7
HYPERLINK\l"_Toc324968086"2.1.2等离子化学气相沉积制备DLC膜的研究 PAGEREF_Toc324968086\h9
HYPERLINK\l"_Toc324968087"第3章PECVD的工艺流程以及生长表面的成膜反应 PAGEREF_Toc324968087\h11
HYPERLINK\l"_Toc324968088"3.1PECVD等离子体增强化学气相沉积的应用 PAGEREF_Toc324968088\h11
HYPERLINK\l"_Toc324968089"3.1.1生长表面的成膜反应 PAGEREF_Toc324968089\h13
HYPERLINK\l"_Toc324968090"3.1.2PECVD工艺流程和成膜的特点 PAGEREF_Toc324968090\h15
HYPERLINK\l"_Toc324968091"结论 PAGEREF_Toc324968091\h18
HYPERLINK\l"_Toc324968092"参考文献 PAGEREF_Toc324968092\h19
HYPERLINK\l"_Toc324968093"致谢 PAGEREF_Toc324968093\h20


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等离子体化学气相沉积制备薄膜技术
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等离子体化学气相沉积制备薄膜技术
摘要
介绍了等离子体化学气相沉积的技术和基础，PECVD技术原理、系统以及工艺流程，制备薄膜生长的过程，表面成膜在微电子、能源、光纤通讯、超导材料等尖端技术中,都占有重要的地位,在机械、建材等工业以及日用消费品制造业中都有广泛的应用。从材料种类上来看,薄膜材料有金属、半导体和绝缘体,有单晶、多晶和非晶态,有无机和有机材料。薄膜的成膜方法很多。根据不同的材料,可以选用相应的成膜工艺。
关键词：等离子体；PECVD；薄膜生长

Plasmachemicalvapordepositionthinfilmtechnology

Abstract

Introducedtheplasmachemicalvapordepositiontechnologyandfoundation,PECVDtechnologyprinciple,systemandprocessflow,thepreparationofthegrowthofthinfilmsisprocess,thesurfacefilminmicroelectronics,energy,opticalfibercommunication,superconductingmaterialsintheadvancedtechnology,hasanimportantposit