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GaN基HEMT材料的MOCVD生长及器件应用研究的综述报告
GaN基HEMT材料是一种新型的半导体材料，具有优异的电子特性和热学特性，具有较高的电子迁移率和较高的扩散系数，由于其性能优异，因此在通信、光电和功率电子等领域得到了广泛的应用。本文将对GaN基HEMT材料的MOCVD生长及器件应用研究进行综述。
一、GaN基HEMT材料的MOCVD生长
MOCVD生长技术是一种将有机金属化合物输送到反应腔内与底座表面反应生长的方法。该技术具有生长薄膜的温度范围广、生长速度快等优点，已成为制备GaN基HEMT材料的主要方法之一。
1.1基础生长技术
GaN基HEMT材料的基础生长技术具有生长温度低、生长速度缓慢等优点。其中，电子束蒸发(E-beamevaporation)和分子束外延(MBE)是基础生长技术的两种常用方法。然而，这两种方法存在一些缺点，如生长率低、生长晶体质量差、还原性差等，难以满足高性能的要求。
1.2典型MOCVD生长技术
MOCVD生长技术对GaN基HEMT材料的生长具有重要意义。该技术生长速度快、生长质量好、生长温度范围广，具有可控性好等优点。典型的MOCVD生长技术包括金属有机化合物气相外延(MOVPE)和有机金属熔体气相外延(MOMBE)两种方法。
MOVPE是一种典型的MOCVD生长技术，其生长速度快并且具有较高的复杂晶体生长能力。MOMBE是一种新型的MOCVD生长技术，可以在低温下生长高质量晶体。相比于MOVPE技术，MOMBE技术具有更高的生长效率和更好的生长质量。
二、GaN基HEMT材料的器件应用研究
GaN基HEMT材料具有优异的电子特性和热学特性，其器件应用主要包括功率电子器件和RF射频器件。
2.1功率电子
GaN基HEMT材料已成为新型功率电子材料的代表。它具有高的峰值电场、高的较短时刻电流承受能力、高的开关速度和低的导通电阻等特点。GaN基HEMT材料能够用于制作高功率、高频率的功率放大器、转换器和模块等电力器件，这些器件广泛应用于电力和电信、航空航天等领域。
2.2RF射频
GaN基HEMT材料在射频领域也具有广泛的应用前景。GaN基HEMT材料具有高的维持系统温度等级(TO)、高的氧化热解温度(TD)和高的韧性等特性，使其具有良好的射频性能。GaN基HEMT材料制成的RF器件可以广泛应用于通讯、雷达、卫星和导航等领域。
三、结论
目前，GaN基HEMT材料的制备和应用已经达到了越来越高的水平。GAN基HEMT材料具有良好的电学特性和热学特性，是制备高性能功率电子和射频器件的优质材料。在未来的研究中，科学家需要更深入地研究材料的生长机制和表面物理特性，进一步提高GaN基HEMT材料的生长效率和器件性能。