蓝宝石衬底上氧化镓薄膜的生长与退火研究的中期报告.docx

蓝宝石衬底上氧化镓薄膜的生长与退火研究的中期报告
中期报告
研究目的：
本研究旨在探究在蓝宝石衬底上氧化镓薄膜的生长和退火过程中对薄膜性能的影响，为蓝宝石衬底上氧化镓薄膜的制备提供理论依据。
研究方法：
（1）使用化学气相沉积（CVD）方法在蓝宝石衬底上生长氧化镓薄膜，控制反应温度和压力，研究其生长速率。
（2）使用高温退火方法对生长好的氧化镓薄膜进行处理，研究退火对氧化镓薄膜性能的影响。在退火过程中，改变温度和时间，观察薄膜的形貌、晶体结构、电学性能等变化。
研究进展：
（1）使用CVD方法在蓝宝石衬底上成功生长出氧化镓薄膜，并控制了反应温度和压力。研究发现，反应温度越高，氧化镓薄膜的生长速率越快，但其晶体结构和形貌较差。
（2）使用高温退火方法对氧化镓薄膜进行处理，结果显示，氧化镓薄膜的形貌和晶体结构在退火过程中发生了变化。退火温度越高，氧化镓薄膜表面越光滑，但同时也会导致薄膜中氧化镓和蓝宝石衬底之间的不完全匹配，从而引起应力，影响薄膜的电学性能。
（3）目前正在进行进一步的测试，包括使用X射线衍射仪和扫描电子显微镜分析氧化镓薄膜在退火前后的晶体结构和形貌以及其电学性能的变化。
结论：
本研究探究了在蓝宝石衬底上生长氧化镓薄膜及其退火过程对薄膜性能的影响，为蓝宝石衬底上氧化镓薄膜的制备提供了一定的理论依据，并且为制备优质氧化镓薄膜提供了一些启示。